СПОСОБ ОЧИСТКИ ТЕЛЛУРА Советский патент 1968 года по МПК C22B3/44 

Известен способ очистки теллура от примесей переосаждением двуокиси теллура из щелочного или кислого раствора.

Для повышения чистоты и выхода двуокиси теллура предложено осаждение провод ить в присутствии комплексонов. В качестве комплексона предложено применить этилендиаминтетрауксусную кислоту.

В зависимости от концентрации примесей в исходном теллуре или двуокиси теллура и требуемой степени очистки переосаждение проводят либо в одну стадию из щелочных растворов, совмещая его с фракционным осаждением, либо в две стадии. В последнем случае вначале проводят осаждение двуокиси теллура из солянокислого раствора, после чего растворяют осажденную двуокись теллура в щелочи и проводят осаждение из щелочного раствора. Выход очищенной двуокиси зависит только от содержания примеси в очищ аемом материале и составляет 92-95%. Механические и технологические потери не превыщают 2-4%. Расход комплексонов также зависит от содержания примесей в исходном продукте и составляет 0,2-0,5% от веса двуокиси теллура. Кроме того, такой комплексон как трилон Б может быть регенерирован на 50-80% при подкислении растворов до рН 1,0-2,0 и вновь использован для технологических целей.

При м е р. Навеску 20 г металлического теллура, являющегося отходом при получении зонной плавкой теллура марки Т-А1, измельчают в фарфоровой ступке до крупности 1-

2 жлг и растворяют при нагревании в смеси 25 мл азотной кислоты уд. вес. 1,37 и 75 мл соляной кислоты уд. вес. 1,16. После полного растворения теллура из раствора осаждают двуокись теллура 1%-ным раствором трилона

Б в 10%-ном аммиаке при рН 4,0. Осадок отфильтровывают, промывают водой до нейтральной реакции фильтрата и растворяют в 200 мл 10%-ного раствора едкого натра. Раствор теллурита натрия нейтрализуют 1рЗо-ной

азотной кислотой до рН 10, отфильтровывают осадок, добавляют к раствору 50 мл 1%-ного раствора трилона Б в 10%-ном аммиаке и доосаждают двуокись теллура при конечном рН 4,0. Получают 23,1 г двуокиси теллура, что составляет 92,4% от теоретического выхода. Результаты анализа приведены в таблице.

Предмет изобретения

1. Способ очистки теллура от примесей фракционным осаждением двуокиси теллура из кислых или щелочных растворов с последующим восстановлением двуокиси до металлического теллура, отличающийся тем, что, с 34

целью повышения чистоты и выхода ДВУОКИСИ2. Способ по п. 1, отличающийся тем,, что в

теллура, осаждение проводят в присутствии , качестве комплексона применяют этилендикомплексонов.амитетрауксуспую кислоту.

213350