Туннельно-диодно-транзисторная ячейка памяти Советский патент 1975 года по МПК G11C11/38 

транзистор записи 13 считывает со следующих ячеек, из которых т ячеек могут находиться в «единичном состоянии (). При подаче тактового напряжения в базовую день нагрузочного транзистора 14 его эмиттерный ток восстанавливает начальные значения напряжений на конденсаторе 19 и на коллекторе транзистора записи 13.

Таким образом, осуществляется передача сигнала по ячейкам в каждом такте.

Диоды 1, 2 и 7 служат для развязки ячеек между собой при подключении Л-1 параллельных ячеек. Диод 3 обеспечивает протекание тока считывания через «нижний обращенный диод пары Гото. Диоды 4, 5 фиксируют напряжение тактового импульса, ограничивая его при больших амплитудах. Диод 6 служит для быстрого восстановления начального напряжения на конденсаторе 18 после записи, а диод 8 - для восстановления напряжения на конденсаторе 19. Диод 9 служит для расширения нагрузочной способности и развязки обращенных диодов при подключении ячеек к транзистору считывания.

Конденсатор 19 обеспечивает развязку в цепи питания.

Предмет изобретения

Туннельно-диодно-транзисторная ячейка памяти, содержащая пару Гото, к средней точке которой подключены два последовательно соединенных диода и дифференцирующее звено, третий диод, включенный между щиной источника смещения и парой Гото, транзистор считывания, к базе которого подключены последовательно соединенные четвертый и пятый диоды и резистор, подключенный к первой тактовой щине, а к коллектору - щина питания; транзистор записи, база которого через конденсатор дифференцирующего звена подключена к средней точке пары Гото и к аноду щестого диода, катод которого соединен с шиной нулевого потенциала, коллектор транзистора записи через разделительный конденсатор подключен к средней точке последовательно соединенных седьмого и восьмого диодов, отличающаяся тем, что, с целью повышения быстродействия, между эмиттером транзистора считывания и средней точкой пары Гото включен девятый диод; к коллектору

транзистора записи подключен эмиттером транзистор нагрузки, коллектор которого подключен к щине источника питания, а база - через резистор ко второй тактовой шине.

; ):

Ж№

;/

1