Известно устройство для коммутации импульсных токов, Например адресных токов запоминаюш.их устройств, содержащее группу .полупроводниковых элементов типа р-п-р или п-р-п.
Описываемое устройство отличается тем, что на одной плоскости теплопроводящей изоляционной подложки, выполненной, например, из бериллиевой керамики, -нанесено сплошное металлическое покрытие, присоединенное, например, посредством пайки, к основанию общего герметизированного корпуса, а на другой плоскости размещены металлизированные площадки, на которых установлены коллекторы полупроводниковых элементов, причем эмиттеры (или коллекторы) каждого элемента присоединены к нанесенной на подложку общей щине, имеющей вывод из корпуса устройства.
Это позволяет уменьщить габариты устройства и увеличить допустимую рассеиваемую мощность.
На чертеже показано описываемое устройство.
Полупроводниковые элементы / размещены на общей теплопроводящей подложке 2. Подложка выполнена из электроизоляционного материала (в частности бериллиевой керамики), чтобы можно было осуществить необходимые электрические соединения, например, соединить общей щиной все эмиттеры или коллекторы, оставив изолированным друг от друга остальные электроды. В подложке имеется общий вывод 3 (эмиттеры или коллекторы всех элементов) и отдельные остальные выводы 4 каждого элемента. Полупроводниковые элементы соединены с подложкой с помощью
контактных площадок 5. На другой плоскости подложки имеется металлический слой 6, соединяющий подлол ку с основанием корпуса 7.
Предмет изобретения
15
Устройство для коммутации импульсных токов, например, адресных токов заноминающих устройств, содержащее группу полупроводниковых элементов типа р-я-р или п-р-п,
отличающееся тем, что, с целью уменьшения габаритов и увеличения допустимой рассеиваемой мощности, на одной плоскости теплопроводящей изоляционной подложки, выполненной, например, из бериллиевой керамики,
нанесено сплошное металлическое покрытие, присоединенное, например, посредством пайки к основанию общего герметизированного корпуса, а на другой плоскости размещены металлизированные площадки, на которых усэлементов, причем эмиттеры (или коллекторы) каждого элемента присоединены к нанесенной на подложку общей шине, имеющей вывод из корпуса устройства.
название | год | авторы | номер документа |
---|---|---|---|
МОДУЛЬ, СОСТОЯЩИЙ ИЗ ПОДЛОЖКИ, СИЛОВЫХ ПРИБОРОВ, ЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ СХЕМЫ И ТЕПЛООТВОДА | 2008 |
|
RU2350055C1 |
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ИЗЛУЧАЮЩИЙ ДИОД | 2001 |
|
RU2200358C1 |
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ИСТОЧНИК ИЗЛУЧЕНИЯ | 2012 |
|
RU2511280C2 |
ДИОДНЫЙ БЛОК | 1973 |
|
SU377915A1 |
Способ пайки деталей из разнородных материалов | 1978 |
|
SU737144A1 |
МОЩНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ПРИБОР | 2003 |
|
RU2253922C2 |
МОЩНЫЙ СВЧ-ТРАНЗИСТОР | 1992 |
|
RU2054750C1 |
Способ пайки деталей из разнородных материалов | 1979 |
|
SU774868A1 |
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ МОДУЛЬ И СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО МОДУЛЯ | 2002 |
|
RU2314596C2 |
Устройство для отбраковки мощных транзисторов | 1985 |
|
SU1247796A1 |
.ZZSZZZZZZZI ZZTZZZZZZZZZZZZZIZ
Даты
1968-01-01—Публикация