Изобретение отиоситея к области запоминающих устройств и может найти применение для получения феррнтовых пленочных элементов ламяти, используемых в запом11нающих устройствах ЭВМ.
Известно устройство для изготовления ферритовых пленочных элементов памяти с помощью дугового разряда в вакууме. Оно содержит катод из исходного материала-феррита, закрепленный в керамическом держателе, и молибденовый стержень, служащий анодом. Для создания дуги молибденовый электрод приводится в соприкосновение с катодом, напыляемым ферритом, а затем отодвигается на несколько сантиметров от иоверхпости феррита. Источник постоянного тока для дугового разряда должен обладать стабпльностью не
хуже 0,lVoЦель изобретения - повыщение скорости испарения и получение пленок с улучшенными магннтными свойствами и однородностью.
Описываемое устройство отличается тем, что содержит систему нагревателей для предварительного нагрева феррита и последующего его испарения токами высокой частоты, а также для нагрева подложки, что обеспечивает равномерность осаждения, эиитаксиальный рост и снятие механических напряжений. Нагреватель подложки является ее же держателем и может перемещаться по направляющим щтангам в область нидуктора.
На чертеже изображена конструкиия устройства.
ycTpoiicTBO содержит электрический нагреватель (печь) / для предварительного нагрева феррита, исходную ферритовую пластииу 2, высокочастотный индуктор 3, подложку
4для осаждения пленки, нагреватель 5 подложки (печь), вакуумный колпак 6 и основание 7.
На электрически нагреватель /, , илоскоГ формы помещена сходная ферр товая 1ласт1 на 2. В электрнческом нагревателе
5В1лполнен паз, в котором помещена подложка 4, , из мо1 окр сталл 1ческого . Нагреватель 5 закреплен на штангах 8 на тpeбye i0.м расстоянии от пластины 2. Штанг 8, выполненнь е из токопроподящего aтepиaлa, одновременно вынолня от фуикН П подвода тока к 1агревателю 5. Высокочастотны индуктор 3 eeт Д Л Ндрнческу О . Пластина 2 пол ещена внутр индуктора 3.
Вся система нагревателей вместе с исходной пластиной 2 подложкой 4 помещена под вакуу, колпак 6, а через основанне 7 пропущены выводы нагревателей. Через отверст 1е в основании отсос воздуха.
Устройство работает следующим образом.
Ферритовая пластина 2 нагревается нагревателем / до 300-400°С, а затем подвергается нагреву токами высокой частоты до 1000°С при разрежении под колпаком 0,5 тор. Подложки из монокристаллического MgO нагреваются до 400°С. При этом были получены пленки толщиной «s 50 мкм в течение 1,-2 мин.
Характеристики пленок (коэрцитивная сила Hf. 2э, остаточная индукция 5ч 1300 гс, ирямоугольность /(,9) обеспечивают создание миниатюрных элементов памяти.
4 Предмет изобретения
Устройство для изготовления ферритовых пленочных элементов памяти, содержащее
акуумный колпак с основанием, держатель и подложку для Осаждения иленки, отличающееся тем, что, с целью повышения скорости испарения и получения пленок с улучшенными магнитными свойствами и однородностью,
оно содержит систему нагревателей, состоящую из печи для предварительного нагрева феррита, высокочастотного индуктора для испарения феррита токами высокой частоты и печи для нагрева подложки.
название | год | авторы | номер документа |
---|---|---|---|
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ФЕРРИТОВЫХ ПЛЕНОЧИЫХ ЭЛЕМЕНТОВ ПАМЯТИ | 1969 |
|
SU245179A1 |
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ МЕТАЛЛСОДЕРЖАЩЕГО УГЛЕРОДНОГО НАНОМАТЕРИАЛА | 2012 |
|
RU2499850C1 |
Устройство для нанесения сверхтолстых слоев поликристаллического кремния | 2021 |
|
RU2769751C1 |
СПОСОБ СИНТЕЗА НАНОСТРУКТУРНОЙ ПЛЕНКИ НА ИЗДЕЛИИ И УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЕГО РЕАЛИЗАЦИИ | 2010 |
|
RU2466207C2 |
Устройство оптического нагрева образца в установках магнетронного напыления | 2015 |
|
RU2626704C2 |
СПОСОБ НАНЕСЕНИЯ ПОКРЫТИЯ НА ИЗДЕЛИЯ ИЗ КЕРАМИКИ В ВАКУУМЕ | 2009 |
|
RU2407820C1 |
Способ получения наноразмерных пленок нитрида титана | 2022 |
|
RU2777062C1 |
СПОСОБ ИОННО-ПЛАЗМЕННОГО НАНЕСЕНИЯ МНОГОКОМПОНЕНТНЫХ ПЛЕНОЧНЫХ ПОКРЫТИЙ И УСТАНОВКА ДЛЯ ЕГО ОСУЩЕСТВЛЕНИЯ | 2006 |
|
RU2379378C2 |
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ УГЛЕРОДНОГО НАНОМАТЕРИАЛА, СОДЕРЖАЩЕГО МЕТАЛЛ | 2007 |
|
RU2360036C1 |
CVD-РЕАКТОР СИНТЕЗА ГЕТЕРОЭПИТАКСИАЛЬНЫХ ПЛЕНОК КАРБИДА КРЕМНИЯ НА КРЕМНИЕВЫХ ПОДЛОЖКАХ | 2021 |
|
RU2767098C2 |
Даты
1969-01-01—Публикация