Изобретение относится к области гальванопластического получения различных изделий.
Известен способ изготовления матрицы для гальванопластического получения мелкоструктурной сетки, включающий серебрение стеклянной подложки с последующим нанесением светочувствительного слоя.
По предложенному способу на серебряный слой наносят бороздки, соответствующие структуре сетки, которые заполняют слоем электропроводящего неметаллического материала, после чего производят термообработку матрицы в вакууме при температуре 250- 500°С и удаляют серебряный подслой травлением.
Это позволяет значительно повысить срок службы матрицы и улучшить качество получаемых сеток.
Описываемый способ заключается в следующем.
Па серебряный подслой, покрывающий стеклянную подложку, наносят бороздки, соответствующие структуре сетки. Затем на поверхность матрицы напыляют катодным распылением слой окиси индия с добавками окислов олова, циркония или титана, причем содержание окиси индия должно быть не меньше 60%. В качестве проводящего неметаллического материала можно также использовать двуокись олова с добавлением окислов сурьмы или ниобия, количество которых в -смеси не превышает 20%. Папыление осуществляют в атмосфере, состоящей из кислорода и инертного газа. Кислорода в газовой смеси должно быть не
меньше 20%.
Матрицу иодвергают термической обработке в вакууме с остаточным давлением мм рт. ст. при температуре 250-500°С. После этого матрицу обрабатывают раствором
концентрированной азотной кислоты, которая стравливает серебряный подслой, и проводящая пленка остается только в штрихах матрицы. Таким образом, можно изготовить постоянную стеклянную матрицу с проводящим неметаллическим слоем в щтрихах. На такую матрицу производят многократное гальваническое осаждение и получают с. одной матрицы до 100 сеток высокого качества.
Предмет изобретения
Способ изготовления матрицы для гальванопластического получения мелкоструктурных сеток на стеклянной подложке с нанесенным
на ее поверхность слоем серебра, отличающийся тем, что, с целью повышения срока службы матрицы и улучшения качества получаемых сеток, на серебряный слой наносят бороздки, соответствующие структуре сетки, 3 неметаллического материала, после чего производят термообработку матрицы в вакууме : 4 при температуре 250-500°С и удаляют серебряный подслой травлением.
название | год | авторы | номер документа |
---|---|---|---|
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ОПТИЧЕСКИ ПРОЗРАЧНОГО ЭЛЕКТРОПРОВОДНОГО ПОКРЫТИЯ И ИЗДЕЛИЕ С ПОКРЫТИЕМ, ПОЛУЧЕННОЕ УКАЗАННЫМ СПОСОБОМ (ВАРИАНТЫ) | 2005 |
|
RU2274675C1 |
ЭЛЕКТРОПРОВОДНАЯ ОСНОВА ДЛЯ ОРГАНИЧЕСКОГО СВЕТОИЗЛУЧАЮЩЕГО ДИОДА (OLED), OLED, ВКЛЮЧАЮЩИЙ В СЕБЯ УКАЗАННУЮ ОСНОВУ, И ЕГО ИЗГОТОВЛЕНИЕ | 2015 |
|
RU2690730C2 |
Контактная сетка гетеропереходного фотоэлектрического преобразователя на основе кремния и способ ее изготовления | 2016 |
|
RU2624990C1 |
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СТЕКЛОВИДНОЙ КОМПОЗИЦИИ | 2012 |
|
RU2529443C2 |
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ТОНКИХ ПЛЕНОК ДИОКСИДА ОЛОВА | 2010 |
|
RU2446233C1 |
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ТОНКИХ ПЛЕНОК ОКСИДА ОЛОВА-ИНДИЯ | 2017 |
|
RU2656916C1 |
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ОКИСНЫХ ПЛЕНОК | 1991 |
|
RU2110604C1 |
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ТОНКОПЛЕНОЧНОГО ВАКУУМНОГО МИКРОПРИБОРА | 1988 |
|
SU1729243A1 |
ЭЛЕКТРОПРОВОДЯЩАЯ ОСНОВА ДЛЯ ОРГАНИЧЕСКОГО СВЕТОДИОДА OLED, СОДЕРЖАЩИЙ ЕЕ OLED И ЕЕ ИЗГОТОВЛЕНИЕ | 2014 |
|
RU2645793C9 |
Способ нанесения электропроводящего покрытия на стеклянную подложку | 1981 |
|
SU983096A1 |
Даты
1969-01-01—Публикация