АВТОКЛАВ ДЛЯ ВЫРАЩИВАНИЯ КРИСТАЛЛОВ В ГИДРОТЕРМАЛЬНЫХ УСЛОВИЯХ Советский патент 1970 года по МПК C30B7/10 

Изобретение относится к устройствам для выращИВания кристаллов в гидротермальных условиях, а также для различных исследований, проводИМых прм (ВЫСОКОЙ температуре и давлении, требующих визуального наблюдения.

Известен автоклав для выращивания кристаллов в гидротермальных условиях, содержащий размещенные в корпусе кристаллизационный вкладыш, газовую камеру, нагревательный элемент, а также систему терморегулирования. В таких устройствах невозможно наблюдать за ростом кристалла в процессе Выращивания.

В предложенном авто клаве кристаллизащионный вкладыш сна1бжен сильфоном, изолирующим газовую камеру и окна автоклава от паров раствора, что позволяет наблюдать за ростом кристалла в процессе его выращивания.

Иа чертеже изсбражен предложенный автоклав (разрез) И разрез по .

В многослойном корпусе i/ автоклава размещены кристаллизационный вкладыш 2, снабженный фторпластавым сильфоном 3, га.зовая камера 4 и нагревательный элемент 5. Автоклав снабжен блоком терморегулирования 6. В средней части автоклава расположены три окна 7, 8, 9, два напротив одно другого, третье под углом 90° к первым. Для, реги-стрирования

процесса, идущего в автоклаве, -используют блок киносъемки 10, состоящий, например, из кинокамеры «Красногорск с тремя смешанными объективами -и цинтрофера, регулирующего скорость съемки.

Автоклав работает следующим образом.

В кристаллизационный вкладыш 2 загружают исходную шихту, затем на уровне, соответствующем высоте окна 7, лодвещивают монокристаллическую затравку. Кристаллизационный вкладыш заливают раствором, закрывают сильфоном 3 и помещают в автоклав. Автоклав закрывают и наполняют инертным газом от баллона. После отключения баллона автоклав нагревают до заданного температурноро режима. При этом в .газовой камере 4 повышается давление инертного газа, а в кристаллизационном вкладыше 2 происходит термическое расширение раствора и над ним повышается давление насыщенного пара. Давление в газовой камере и в кристаллизационном вкладыше выравнивается благодаря наличию сильфона 3, а газовая камера 4 и окна 7, 8 ц 9 полностью изолируются от паров раствора кристаллизационного вкладыша.

Предмет изобретения

пуса, кристаллизационного вкладыша, газовой камеры, нагревательного элемента и системы терморегулирования, отличающийся тем, что, с целью обеспечения возможности

наблюдения за ростом кри-сталла в процессе выращивания, кристаллизадионаый вкладыш снабжен сильфоном, изолирующим газовую камеру и окна автоклава от паров раствора.