СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ КРИСТАЛЛИЧЕСКОГО ФОСФИДАГАЛЛИЯ Советский патент 1970 года по МПК C01B25/08 

Изобретение относится к способам получения фосфида галлия, применяющегося в качестве люминесцентных источников света, диодов и т. и.

Известен способ нолучения кристаллического фосфида галлия путем медленной кристаллизации GaP из раствора-расплава в Ga. Процесс ведут 3-5 час, содержание Si в кристаллах ат. %. Однако для этого способа характерны сложность и длительность процесса и недостаточно высокое качество конечного продукта.

По предлагаемому способу процесс ведут при температуре 1100--1150°С, барботируя через расплав галлия фосфин, разбавленный водородом. Это ускоряет и yHpoutaeT процесс и качество конечного нродукта.

На чертеже изображена схематично установка для осуществления предлагаемого способа.

В графитовый стаканчик заливают расплав галлия при 36°С и помещают на дно кварцевого чехла. Чехол закрывают пробкой, в отверстия которой вставляют кварцевые трубки для пропускания газовых потоков, и помещают в печь Марса. Перед началом опыта открывают крап и пропускают в течение 30 мин водород для вытеснения воздуха из системы. После этого включают нагрев. При температуре 1100°С кран перекрывают и образованный при добавлении канель 10%-ной HgSO. к А1Р в реакторе 2 фосфин в смеси с водородом барботирует через трубку 3 расплав галлия. Реакция продолжается 30 мин. Затем печь включают, открывают кран / и реактор фосфидизации или выдвигают из зоны реакции, или охлаждают вместе с печью.

После синтеза кристаллы gaP отделяют от избытка галлия обработкой разбавленной соляной кислотой. Полученные кристаллы содержат кремния менее 10 ат. %.

Предмет изобретения

Способ получения кристаллического фосфида галлия, отличающийся тем, что, с целью ускорения и упрощения процесса и повышения качества конечного продукта, процесс ведут при температуре 1100-1150°С, барботируя через расплав галлия фосфин, разбавленный водородом.