Изобретение может быть использовано при изготовлении керамических конденсаторов, используемых в радиоэлектронных устройствах.
Известен способ получения температуростабильной керамики путем обжига шихты на основе титана и углекислого бария.
Целью изобретения является повышение диэлектрической проницаемости.
Достигается это тем, что в качестве соединения бария используют фтористый барий, а обжиг производят по режиму: нагрев до температуры диссоциации со скоростью 300°С/час, до температуры 1200°С со скоростью 25°С/час, с выдержкой в течение 1- 2 час, охлаждение вместе с печью. Шихту приготавливают путем измельчения фтористого бария и окиси титана, взятых в соотношении 68,7 и 31,3о/о. Перемешивают ее в течение 36 час в мельницах типа «яшма при соотношении - масса : вода : шары 1:1:1. Затем воду выпаривают, а из полученной смеси прессуют таблетки диаметром 20 мм и высотой 1 мм. Образцы помещают в печь на надсыпке из ZrOs и проводят обжиг по режиму: нагрев до температуры диссоциации со скоростью 300°С/час, до температуры
1200°С со скоростью 25°С/час, с выдержкой в течение 1-2 час, охлаждение вместе с печью. После остывания образцы измельчают. Из полученного порошка любым известным методом изготавливают изделия.
Материал, полученный предлол енным способом, обладает повышенной диэлектрической проницаемостью в области комнатных температур (4000, ,8-2,5о/о) с малой
изменяемостью ее в области рабочих температур работы конденсаторов (Д +80°С + по отношению к Е-2о°С; Д 14о°с о отношению к Е2о°С).
Предмет изобретения
Способ получения температуростабильной керамики путем обжига шихты на основе окиси титана и соединения бария, отличающийся тем, что, с целью повышения диэлектрической проницаемости, в качестве соединения бария используют фтористый барий, а обжиг производят по режиму: нагрев до температуры диссоциации со скоростью 300°С/час, до температуры 1200°С со скоростью 25°С/час, выдерж.ка в течение 1-2 час, охлаждение вместе с печью.
| название | год | авторы | номер документа |
|---|---|---|---|
| СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ КЕРАМИКИ НА ОСНОВЕ ТИТАНАТА БАРИЯ | 2018 |
|
RU2706275C1 |
| Способ получения замещенного титаном гексаферрита бария | 2021 |
|
RU2764763C1 |
| Способ обжига плоских керамических деталей | 2016 |
|
RU2638194C2 |
| РАДИОПРОЗРАЧНЫЙ СТЕКЛОКРИСТАЛЛИЧЕСКИЙ МАТЕРИАЛ ДЛЯ АВИАЦИОННОЙ ТЕХНИКИ | 2010 |
|
RU2440936C1 |
| КЕРАМИЧЕСКИЙ ДИЭЛЕКТРИК | 1972 |
|
SU325640A1 |
| Шихта для изготовления диопсидовой керамики | 1978 |
|
SU681021A1 |
| СПОСОБ ОБЖИГА КЕРАМИЧЕСКИХ ДЕТАЛЕЙ | 2013 |
|
RU2560456C2 |
| Способ изготовления керамического защитного элемента системы гамма-каротажа роторных управляемых систем (варианты) | 2022 |
|
RU2798534C1 |
| Способ изготовления титаната бария (BaTiO3) для многослойных керамических конденсаторов с температурой спекания диэлектрика не более 1130С | 2017 |
|
RU2646062C1 |
| НАНОМОДИФИЦИРОВАННАЯ КВАРЦЕВАЯ КЕРАМИКА С ПОВЫШЕННОЙ ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНОЙ ПРОЧНОСТЬЮ | 2011 |
|
RU2458022C1 |
