СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПЛЕНОЧНЫХ КОНДЕНСАТОРОВ Советский патент 1970 года по МПК H01G4/10 

Изобретение относится к области изготовления пленочных конденсаторов постоянной емкости с многослойным диэлектриком.

Известны способы производства пленочных конденсаторов с комбинированным диэлектриком, полученным методом вакуумного напыления.

Однако используемые в качестве диэлектрика системы диэлектрических материалов не обеспечивают при удельной емкости 6000 пф/см и рабочем напряжении 13-15 в стабильные электрические характеристики.

По предлагаемому способу для повышения удельной емкости, рабочего напряжения и процента выхода годных конденсаторов в качестве многослойного диэлектрика конденсатора используют последовательно осажденные в вакууме слои моноокиси кремния и моноокиси германия.

Материалы осаждают на неподогретую подложку из ситалла при вакууме 2 5 мм рт. ст. Сначала напыляют нижнюю обкладку

конденсатора из слоя титана и алюминия, затем осаждают моноокись кремния и моноокись германия. Температура испарения моноокиси кремния 1200-1300°С, моноокиси германия не более 800°С. Суммарная толщина диэлектрика 1200-1500 А.

Верхнюю обкладку алюминия напыляют обычным методом.

Предмет изобретения

Способ изготовления пленочных конденсаторов постоянной емкости, содержащих многослойный диэлектрик в виде окислов, полученных методом вакуумного осаждения, отличающийся тем, что, с целью повышения удельной емкости, рабочего напряжения и процента выхода годных конденсаторов, в качестве

упомянутых окислов используют последовательно осажденные слои моноокиси кремния и моноокиси германия.