СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ВОЛЬФРАМОВЫХ ПОКРЫТИЙ Советский патент 1971 года по МПК C23C10/06 

Изобретение отиосится к способам получения металлических покрытий из газовой фазы.

Известен способ получения вольфрамовых покрытий путем восстановления гексафторида вольфрама водородом на нагретой подложке.

С целью улучшения качества покрытия, предложено процесс вести циклически с поперемениым чередованием осаждения и пассивации подложки. Пассивацию подложки можно осуществлять путем выдержки в среде одного ИЗ; компонентов газовой смеси при температуре осаждения или путем выдержки в среде инертного газа при этой же температуре.

Предложенный способ заключается в следующем. После осаждения вольфрама на толщину 80-120 мк подложку выдерживают в среде инертного газа или одного из компонентов газовой смеси, например водорода, в течение 5-10 мин. После этого опять наносят слой вольфрама.

Вольфрамовые покрытия, полученные по предложенному способу, имеют микроструктуру, обуславливающую повышение предела прочности на растяжение.

Например, осадки, полученные из смеси гексафторида вольфрама с 6 мол. % водорода

2

при температуре , имеют прп комнатной температуре предел прочности на растяжение 18 кг/мм и при температуре - 31 кг/мм1000°С.

Осадки, полученные по предложенному способу, имеют предел прочности на расстяжение соответственно 24 и 47 - 50 кг/мм-2.

Предмет изобретения

1.Способ получения вольфрамовых покрытий из газовой фазы путем восстановления гексафторида вольфрама водородом на нагретой подложке, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества покрытия, процесс ведут циклически с попеременным чередованием осаждения и пассивации подложки.

2.Способ ПО л. 1, отличающийся тем, что пассивацию подложки осуществляют путем

выдержки в среде одного из компонентов газовой смеси при температуре осаждения.

3.Способ по п. 1, отличающийся тем, что пассивацию подложки осуществляют путем выдержки в среде инертного газа при температу-ре осаждения.