СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ТОНКОПЛЕНОЧИЫХ РЕЗИСТОРОВ Советский патент 1971 года по МПК H01C7/06 

-I

Известен способ изготовления пленочных резисторов на азотированных пленках титана, при котором напыленный слой титана подвергают нагреванию в атмосфере азота.

Цель изобретения - повышение стабильности резисторов. Для этого в качестве исходной резистивной композиции используется смесь двуокиси титана и двуокиси кремния.

Сущность изобретения заключается в получении тонкопленочного сопротивления из смеси двух компонентов двуокиси титана и двуокиси кремния. На подложку из керамики или кварца «методом химического просветления из смеси спиртового раствора этилового эфира ортотитановой кислоты с этиловым эфиром ортокремневой кислоты, наносят смешанный слой Ti02 - SiO2, который затем обрабатывают в токе сухого аммиака при температуре 900-1000°С. Меняя содержание двуокиси кремния в слое, можно получить покрытия с удельным поверхностным сопротивлением от 102 до Юо ом/кв. Причем с увеличением содержания окисла в слое температурный коэффициент сопротивления, будучи ноложительным для слоя из двуокиси титана, постепеппо уменьшается и, проходя через нулевое значение, меняет знак на отрицательный. Это очень важное свойство, так как, подобрав соотношение ко щентрац11и нитрида и окисла в смешанном слое, можно создавать электросопротнвления различного номинала с малым температурным коэфф1пхнентом сопротивления. В чертеже показано изменение удельного новерхностного сопротивления и температурного

0 коэффициента сопротивления в интервале температур от +20 до -80°С с увеличением содержания двуокиси кремния в слое толщиной 0,25 мкм.

5

Предмет изобретет я

Сиособ изготовления тонкопленочных резисторов, осноБа 1ьп на азотировании исходных материалов, нанесенных на подложку, отличающийся тем. что, с целью повышения стабильности резисторов, в качестве исходной резистивной композиции нсиользуется смееь двуокиси титана и двуокиси кремния.

6ОдОioo

мол % S, О2