ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ТЕНЗОРЕЗИСТОР Советский патент 1971 года по МПК G01B7/16 

Изобретение относится к области полупроводниковой тензометрии и 1«ожет быть использовано для измерения деформаций и механических напряжений деталей и конструкций.

Известен .полупроводниковый тензорезистор на основе антимонида галлия п-типа, выполненный в виде нитевидного кристалла.

Цель предлагаемого изобретения - повысить тензочувствительность подобного рода тензорезисторов.

Это достигается тем, что тензорезистор выполнен в виде монокристалла, выращенного в кристаллографическом направлении (111) посредством химических газотранспортных реакций.

Полупроводниковый тензорезистор выполнен следующим образом. Нитевидные кристаллы антимонида галлия выращивают методом химических газотранспортных реакций в закрытой ампуле. В роли транспортирующего агента используют йод и бром. В кварцевую ампулу объемом примерно 60 см загружают галлпй и сурьму в стехиометрическом соотношении, йод и бром в количестве 30- 200 мг и теллур в качестве легирующего комппчеитя п количестве, необходимом для получения концентрации примесей .и. Посл откачки до вакуума 10 лиг рт. ст. и отпайки ампулу помещают в печь, где температура зоны источника составляет 650-800°С, а температура зоны кристаллизации 450-550°С.

При небольшом перепаде температуры из 40-50 мг йода вырастают кристаллы совершенной формы с идеально гладкими гранями. Выращенные нитевидные кристаллы имеют форму правильных трехгранных призм толщиной 20-40 мк, длиной от 3 до 10 мм, кытянутых вдоль кристаллографического направления (111). Коэффициент тензочувствительности нитевидных кристаллов антимонида галлия «-типа с конце 1трацией примесей 1,4-1018си73 равен -110.

Предмет изобретения

Полупроводниковый тензорезистор на основе антимонида галлия я-типа, выполненный в виде нитевидного кристалла, отличающийся тем, что, с целью повышения тензочувствнтельности, он выполнен в виде монокристалла, выращенного п кристаллографическом направлении (111) посредством .химических газотранспортных реакц 1Й.