УСТРОЙСТВО ДЛЯ АНАЛИЗА ЭЛЕКТРОННОЙ СТРУКТУРЫ Советский патент 1971 года по МПК G01N23/207 

Изобретение относится к области приборостроения и предназначено для исследования электронного энергетического спектр а твердых тел по фото и Оже-электронам и по вторичным и абсорбционным рентгеновским спектрам, а также для поэлементарного анализа.

Цель изобретения-увеличение точности измерений и расширение спектра измеряемых физических параметров.

В предлагаемом устройстве это достигается тем, что рентгеновская трубка и кристалл-монохроматор размещены над образцом выше торовой камеры, а под образцом расположены счетчик для регистрации проходящего рентгеновского излучения, кр исталл-анализатор и счетчик для регистрации вторичного рентгеновского излучения.

Изобретение поясняется чертежом, на котором изображены бета-спектрометр (тонкие линии) и схема хода электронов (жирная линия) и рентгеновских лучей (волнистые линии). На чертеже показаны рентгеновская трубка в положениях 1, 2 с, направлением испускаемого излучения по осям и У, изогнутый по Иоганну кристалл-монохроматор 3 для возбуждения излучения (он же используется как кристалл-анализатор для получения рентгеновского спектра поглощения с образца; лучи, отраженные от этого кристалла.

имеют постоянное направление по оси Z); торовая вакуумная камера 4, в которой движутся электроны; напылитель 5 образцов, образец 6; изогнутый по Иоганну кристалл-анализатор 7 для разложения в спектр вторичного излучения, испускаемого образцом (можно использовать и кристалл с изгибом по Кошуа); счетчик 8 для регистрации прошедшего через образец рентгеновского излучения; счетчик 9 для регистрации испускаемого образцом вторичного излучения; счетчик 10 электронов.

Работа устройства включает три этапа. Первый этап заключается в напылении двух образцов с помощью специального напылителя 5. После этого один из образцов устанавливается в рабочее положение в торовой камере, которая имеет общий вакуум с напылителем. Замена одного образца другим осуществляется перемещением держателя образцов вдоль оси X без вакуума.

На втором этапе производится исследование кинетической энергии возбужденных электронов и анализ вторичного рентгеновского излучения образца. Длина волны возбуждающего характеристического излучения рентгеновской трубки подбирается с учетом межплоскостного расстояния отражающей плоскости кристалла 3, так, чтобы угол отражения был близок к 45°. При таком угле отраженное