РЕЗИСТОР ОБЪЕМНОГО ТИПА Советский патент 1972 года по МПК H01C7/06 

Изобретение относится к радиодеталестроению и может быть использовано при производстве непроволочных резисторов. Известные резисторы объемного типа на основе сложного карбида обладают большим 5 температурным коэффициентом сопротивления и имеют низкую устойчивость к дестабилизирующим факторам. Предлагаемый резистор не имеет этих недостатков и отличается от известных тем, что в 10 качестве токопроводящей фазы использован сложный карбид металлов IV и V групп периодической системы. Компоненты токопроводящей фазы взяты в следующих количественных соотношениях 15 (вес. %): Металл IV группы1-94 Металл V группы1-94 Углерод общ.4-25 Углерод своб.0,01-2,520 Для расширения температурного интервала работы резистора до 200-250° С, увеличения мощности рассеивания при уменьщении габаритов, повышения механической прочносги и стабильности, а также для расширения диапа- 25 зона номиналов в сторону низких значений в состав предлагаемого низкоомного объемного резистора наряду со связующим материалом (например, алюмо-силикатно-борно-бариевого состава стекло) входит сложный карбид типа 30 Av В7,, С, где ,1-0,9; Af-металл подгруппы титана четвертой группы периодической системы элементов Менделеева; В - металл подгруппы ванадия пятой группы. Такая тугоплавкая композиция способна при пропускании тока выдерживать высокие температуры и при этом не менять своих характеристик в течение длительного времени эксплуатации. Для получения заданного низкого ТК сопротивления приведены следующие примерные составы резистивного карбида (в вес. %):

Карбидный резистор изготовлен в габаритах резистора СПО-0,5 вт методом горячего прессования при 900° С в слабо восстановительной среде. Связующим материалом служит высокобариевое алюмо-силикатно-борно-бариевое стекло с добавками модифицирующих окислов.

Предмет изобретения

1. Резистор объемного типа на основе сложного карбида, отличающийся тем, что, с целью повыщения устойчивости к дестабилизирующим факторам и снижения температурного коэффициента сопротивления, в качестве токопроводящей фазы использован сложный карбид металлов IV и V групп периодической системы.

2. Резистор по п. 1, отличающийся тем, что компоненты токопроводящей фазы взяты в следующих количественных соотношениях (вес. %):

Металл IV группы1-94

Металл V группы1-94

Углерод общ.4-25

Углерод сноб.0,01-2,5