Изобретение относится к области радиодеталестроения и может быть использовано для получения переменных и постоянных непроволочных резисторов объемного типа.
Известен материал для непроволочных резисторов объемного типа на основе композиции, содержащей в качестве наполнителя тугоплавкое соединение, например, борид металла, и связующее в виде стекла.
Однако известный материал не отвечает требованиям по теплостойкости и влагостойкости.
Целью изобретения является получение низких номинальных значений сопротивления и повышение теплостойкости резисторов.
Достигается это тем, что в качестве наполнителя использован хромово-титановый борид в области гомогенности, а в качестве связующего алюмо-боро-силикатно-бариевое стекло. Кроме того, упомянутые компоненты взяты в весовых процентах в следующем соотношении: хромово-титановый борид 50-80, алюмо-боро-силикатно-барневое стекло 20-50.
Предлагаемый материал для непроволочных резисторов объемного типа изготовлен методоМ горячего прессования при +900°С в слабо восстановительной среде. В качестве резистивного материала в нем применен сложный тугоплавкий борид: Tio.sCrozB, а в качестве связующей фазы-стекло состава,
вес. %: Si02(4-20); ВгОз (8-20); ВаО (6078); АЬОз (до 12).
Содержание резистивного материала в композиции составляет 50-80 вес. %, остальное - стеклосвязка.
Диа-пазон получаемых номинальных величин электросопротивления колеблется соответственно от 1 до 20 ом.
Резистор на основе указанных материалов обладает повышенной теплостойкостью (до +300°С), повышенной влагостойкостью (К увлажнения :1%). Температурный коэффициент электрического сопротивления «е превышает + 10-10- .
Предмет изобретения
1. Материал для непроволочных резисторов объемного типа на основе композиции, содержащей в качестве наполнителя тугоплавкое соединение, например борид металла, и связующее в виде стекла, отличающийся тем, что, с целью получения низких номинальных значений сопротивления и повышения теплостойкости резисторов, в качестве наполнителя использован хромово-титановый борид в области гомогенности, а в качестве связующего - алюмо-боро-силикатно-барневое стекло. 3 2. Материал по п. 1, отличающийся тем, что упомянутые компоненты взяты в весовых процентах в следующем соотношении: 4 хромово-титановый борид50-80 алюмо-боро-силикатнобариевое стекло20-50.
название | год | авторы | номер документа |
---|---|---|---|
РЕЗИСТИВНЫЙ МАТЕРИАЛ | 1971 |
|
SU313227A1 |
РЕЗИСТИВНЫЙ МАТЕРИАЛ | 1971 |
|
SU313225A1 |
РЕЗИСТОР ОБЪЕМНОГО ТИПА | 1972 |
|
SU347812A1 |
РЕЗИСТИВНАЯ КОМПОЗИЦИЯ | 1971 |
|
SU319000A1 |
РЕЗИСТОР ОБЪЕМНОГО ТИПА | 1972 |
|
SU347807A1 |
РЕЗИСТОР ОБЪЕМНОГО ТИПА | 1971 |
|
SU303660A1 |
Резистивный композиционный материал | 1978 |
|
SU834782A1 |
РЕЗИСТИВНЫЙ МАТЕРИАЛ | 1972 |
|
SU347811A1 |
РЕЗИСТИВНО-ПРОВОДЯЩИЙ МАТЕРИАЛ | 1997 |
|
RU2117348C1 |
НИЗКООМНЫЙ РЕЗИСТОР | 1972 |
|
SU341094A1 |
Авторы
Даты
1971-01-01—Публикация