РЕЗИСТИВНЫЙ МАТЕРИАЛ Советский патент 1972 года по МПК H01C7/06 

Изобретение относится к области резисторостроения.

Известен резистивный материал с токопроводящей фазой на основе карбида кремния и керамическим связуюндим.

Предлагаемое изобретение снижает температуру коэффициента сопротивления и повышает термостойкость резисторов.

Описываемое изобретение отличается от известного тем, что резистивный материал выполняют с токопроводящей фазой на основе сложного карбида металлов IV и VI групп периодической системы, например циркония и молибдена, и связующим в виде алюмо-силикатно-боро-бариевого стекла.

Содержание исходны.х компонентов токопроводящей фазы представлено в следующих количественных соотнощениях, вес. %:

Цирконий25-75

Молибден15-65

Углерод8-15.

Содержание компонентов токопроводящей фазы и компонентов стеклосвязующего определено следующим соотношением, вес. %: Сложный карбид циркония -

молибдена50-80

Окись бария7,2-38,4

Предмет изобретения

1.Резистивный материал с токопроводящей фазой на основе сложного карбида и стеклосвязующим, отличающийся тем, что, с целью снижения температурного коэффициента сопротивления и повышения термостойкости резисторов, в качестве токопроводящей фазы использован сложный карбид металлов IV и VI групп периодической системы, а в качестве стеклосвязки взято алюмо - силикатно - боро - бариевое стекло.

2.Резистивный материал по п. I, отличающийся тем, что в качестве карбида металлов взят карбид циркония и молибдена.

3.Резистивный материал по пп. 1 и 2, отличающийся тем, что указанные компоненты токопроводящей фазы взяты в следующих ко.тичественных соотношениях, вес. %:

Цирконий25-75

Молибден15-65

Углерод8-15.

4.Резистивный материал по п. 1, отличающийся тем, что указанные компоненты токопроводящей фазы и стеклосвязующего взяты в следующих количественных соотнощениях, 3 Сложный карбид циркония- молибдена50-80 Окись бария7,2-38,4 4 Окись бора1,6-8,0 Окись кремния0,8-10 Окись алюминия0,01-4