РЕЗИСТОР ОБЪЕМНОГО ТИПА Советский патент 1971 года по МПК H01C7/00 

Описание патента на изобретение SU303660A1

Изобретение относится к компонентам радиоапнаратуры и может быть использовано в качестве резисторов общего назначения.

Известные непроволочные резисторы объемного тина, выполненные на основе модификации углерода, имеют недостаточную термо- и влагостойкость. Кроме того, эти резисторы не могут быть низкоомными.

Цель изобретения - создание резисторов объемного типа, обладающих низким температурным коэффициентом сопротивления, высокой термо- и влагостойкостью, а также расширяющих номинальные значения сопротивлений в низкоомную область.

Это достигается тем, что в качестве исходного материала используется сложный карбид со следующим соотношением компонентов (в вес. %):

Та27-28

Собщ4,9-5,9

Севоб0,3-0,7

и вольфрам - остальное до 100% от общего веса компонентов.

Технология изготовления резисторов на основе сложного карбида указанного состава не отличается от технологии изготовления резисторов на основе модификаций углерода. Например, постоянные резисторы объемного

типа в габаритах изделий ТВО-0,25 изготовляют с применением следующих материалов:

1)исходный резистивный: сложный карбид (в вес. %) - Та 27-28, Собщ 4,9-5,9,

Сспоб 0,3-0,7, W остальное;

2)наполнитель: «К - электрокорундовый микропорошок;

3)стеклосвязка: флюс № 6 - свинцовоборосиликатное стекло состава (в %) РЬО

68,5; SiOs 11,5; ВаОз 20;

4)нодбивка серебряная;

5)выводы платинитовые.

Исходный резистивный материал, наполнитель и стеклосвязка смешиваются (причем композиция их имеет состав (в об. %): исходный резистивный 37, наполнитель 26, флюс 37), размалываются в шаровой мельнице и прессуются в среде продуктов сгорания пропана при 900°С.

Предмет изобретения

Резистор объемного типа на основе сложных карбидов, отличающийся тем, что, с целью повышения термо- и влагостойкости при расширении диапазона значений сопротивлений в низкоомную область, в качестве исходного материала использована композиция со следуюн им соотношениемкомпонентов 3 Та27-28 Собщ4,9-5,9 Ссвоб0,3-0,7 303660 и вольфрам--остальное до 100% от общего веса компонентов.

Похожие патенты SU303660A1

название год авторы номер документа
РЕЗИСТОР ОБЪЕМНОГО ТИПА 1971
  • Г. В. Самсонов, В. Г. Гребенкина, Ю. П. Юсов, А. В. Перевезенцев,
  • Л. Г. Власов, Н. Е. Просвирнина П. И. Королева
SU302756A1
РЕЗИСТИВНАЯ КОМПОЗИЦИЯ 1971
SU319000A1
РЕЗИСТОР ОБЪЕМНОГО ТИПА 1972
SU347812A1
ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ МАТЕРИАЛ 1972
SU434485A1
РЕЗИСТИВНЫЙ МАТЕРИАЛ 1971
  • Г. В. Самсонов, В. Г. Гребенкина, Т. Я. Косолапова, Ю. П. Юсов,
  • Л. Власов, В. Т. Павлов Г. Г. Рудовол
SU313227A1
РЕЗИСТИВНЫЙ МАТЕРИАЛ 1971
SU313225A1
РЕЗИСТОР ОБЪЕМНОГО ТИПА 1972
SU347807A1
Резистивный материал 1977
  • Тихомиров Эдуард Анатольевич
  • Куликова Тамара Федоровна
  • Тырин Юрий Анатольевич
  • Мартынов Вадим Борисович
SU711638A1
РЕЗИСТИВНЫЙ МАТЕРИАЛ 1972
SU347811A1
МАТЕРИАЛ ДЛЯ НЕПРОВОЛОЧНЫХ РЕЗИСТОРОВ ОБЪЕМНОГО ТИПА 1971
  • Л. Г. Власов, В. Т. Павлов, Г. Г. Рудовол, Н. Павлушкин, А. С. Агарков Р. А. Болдырев
SU317113A1

Реферат патента 1971 года РЕЗИСТОР ОБЪЕМНОГО ТИПА

Формула изобретения SU 303 660 A1

SU 303 660 A1

Авторы

Г. В. Самсонов, В. Г. Гребенкина, Ю. П. Юсов, А. В. Перевезенцев, Л. Г. Власов, Н. Е. Просвирнина П. И. Королева

Даты

1971-01-01Публикация