Способ изготовления селенового электрофотографического носителя изображений Советский патент 1983 года по МПК G03G13/02 

Изобретение относится к электрофотографии, конкретно к изготовлению электрофотографических слоев на основе селена, предназначенных для применения в копировально-множительных аппаратах.

Известен способ, изготовления селенового электрофотографического носителя изображений на вакуумных шлюзовых линиях, заключающийся в том, что предварительно подогретые подложки до заданной температуры продвигаются через вакуумные шлюзы в рабочую .вакуумную камеру, в которой установлен испаритель-лодочка с селеном. Подложки в кассетах передвигаются с постоянной скоростью над испарителем и покрываются слоем селена. Преимуществом этого способа является высокая производительность изготовления СЭП,

Основным недостатком этого способа является отсутствие строго контролируемого термического режима и слишком короткое время формирования слоя, в результате чего образуется струнтурно-неоднородный и структурно мало стабильный селеновый слой. Высокие локальные скорости, достигшие 150200 мкм/мин напыления слоя, приводят

к образованию большой плотности микронапряжений. Действие таких внешних факторов, как влажный воздух, различные пылинки и загрязнения, несколько повышенная температура приводит к сравнительно быстрой кристаллизации свободной поверхности селенового слоя. По этой причине около 50% выпускаемых СЭП уже во время их хранения на

10 складах и транспортировки выходят иэ строя и становятся непригодными для эксплуатации-.

Целью изобретения является улучшение качества электрофотографических

15 носителей и увеличение производителы ности их изготовления.

Эта цель достигается тем, что .согласно способу изготовления селенового злектрофотЬграфического носителя

20 изображений, заключакхцемуся в напыле. НИИ в вакууме селена на подогретую до заданной температуры подложки, напыление производят в два приема, при этом в первый прием напыляют 80-95%

25 слоя со скоростью 100-500 МКМ/ГУШН, а во второй - остальную часть слоя с меныпей скоростью, а именно со скоростью 3-20 мкм/мин.

Сущность способа заключается в

30 гом, что за один технологический