Способ получения антидиффузионного барьера Советский патент 1978 года по МПК H01C1/02 

Известны способы создания антидиффузионного барьера, например залуживание легкоплавкими припоями, химическое осаждение металлов из растворов солей, гальванический спо соб. Однако при способе залуживания наблюдается резкое термическое воздействие на полупроводникЪвые загот вки, которое ухудшает их свойства; высокие тепловые и электрические сопротивления припоя, проникновение агрессивных флюсов в термоэлемент, диффузия примесей из припоев в полу проводник. Химический и гальванический способы создания антидиффузионного барьера сопровождаются газовыделением приводящим к плохому контакту барье ного слоя с полупроводником. С целью уменьшения тепловых и электрических сопротивлений контакт термическую диссоциацию легколетуче го тетракарбонила никеля проводят на поверхности полупроводника, нагретого до низкой температуры, кото,рая не вызывает неи елательных изменений свойств полупроводника. Полупроводник на основе/Bi , Те , 5Ъ , Se помещают в герметичную камеру оборудованную инфракрасным нагревателем. В создают разрежение порядка 1-10 мм рт.ст. После нагрева бразцов до температуры 100 140 С в камеру направляют дозированный тетракарбонил никеля со скоростью (2-6) мол/мин, который при соприкосновении с поверхносигью нагретых образцов диссоциирует по схеме: p/i (COKNi+4СО. Выделяющийся в результате реакции никель образует антидиффузионный барьер толщиной 10-20 мк за 1-2 ч, а газообразную окись углерода удаляют из камеры с помощью вакуум-насоса. Формула изобретения ; Способ получения антидиффузионного барьера на ветвях полупроводниковых термоэлементов на основеТе. 61 , Se , Sb путем нанесения никелевого слоя, отличающийся тем, что, с целью уменьшения тепловых и электрических сопротивлений контакта, термоэлемент нагревают до 100-140°С при давлении 1-10 мм рт.ст. 8 на поверхность термоэлемента подают струю тетракарбонил никеля, который в результате теЕалической диссоциа3617484ции образует слой никеля, а образуемую при диссоциации окись углерода удаляют.