1
Изобретение относится к области изготовления СВЧ-микросхем на основе толстых проводящих пленок.
Известны способы изготовления проводящих пленок, основанные на термическом испарении в вакууме исходного материала из тигля косвенного нагрева и осаждении его со
о
скоростью порядка 1000 А/сек на вращающиеся со скоростью 60-120 об/мин без дополнительного нагрева подложки.
Однако пленки, изготовленные известными способами, имеют большую величину внутренних напряжений, что приводит к их разрущению.
С целью получения толстых пленок, например меди и алюминия, с малыми внутренними напряжениями по предлагаемому способу осаждение в вакууме пленок указанных материалов ведут со скоростью не менее, чем
о
1500 А/сек на вращающиеся со скоростью 60 об/мин подложки без дополнительного нагрева при плотности потока лучистой энергии испарителя, падающей на подложки, равной не менее, чем 8 вт/см.
Сущность способа заключается в следующем.
Откачав камеру до давления мм рт. ст., производят очистку подложек ионной бомбардировкой и затем осуществляют осаждение меди, алюминия со скоростью не менее.
чем 1500 А/сек на подложки без дополнительного нагрева, вращающиеся со скоростью 60 об/мин, при плотности потока лучистой энергии испарителя, падающей на подложки, не менее, чем 8 вт/см. Испарение ведут из тиглей с косвенным нагревом, например, электронной бомбардировкой. Медь испаряют из молибденового тигля, алюминий - из тигля, выполненного на основе диборида титана - карбида титана. Для улучщения адгезии проводящих пленок, например меди и алюминия, осаждение указанных материалов производят на подслой, выполненный, например, из титана.
Полученные пленки имеют мелкозернистую структуру и малые внутренние напряжения.
Предмет изобретения Способ изготовления проводящих пленок, например меди, алюминия, основанный на термическом испарении в вакууме исходного материала из испарителей косвенного нагрева и осаждении его на вращающиеся со скоростью 60 об/мин подложки без дополнительного подогрева, отличающийся тем, что, с целью получения толстых пленок, например меди и алюминия, с малыми внутренними напряжениями, осаждение пленок указанных - материалов ведут со скоростью не менее, чем
о
1500 А/сек при плотности потока лучистой энергии испарителя, падающей на подложки, не менее чем 8 вт/см-.
название | год | авторы | номер документа |
---|---|---|---|
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ РЕЗИСТОРОВ | 2004 |
|
RU2270490C1 |
Способ получения тонких пленок тугоплавких, или среднеплавких металлов, или их соединений тепловой энергией самораспространяющегося высокотемпературного синтеза | 2021 |
|
RU2761594C1 |
Способ вакуумного ионно-плазменного осаждения тонкой пленки твердого электролита | 2021 |
|
RU2765563C1 |
СПЛАВ ДЛЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ТОНКОПЛЕНОЧИЫХ | 1973 |
|
SU376816A1 |
ЗЕРКАЛО ЗАДНЕГО ВИДА ДЛЯ ТРАНСПОРТНОГО СРЕДСТВА И СПОСОБ ЕГО ИЗГОТОВЛЕНИЯ | 1993 |
|
RU2043222C1 |
Способ получения наноразмерных пленок нитрида титана | 2022 |
|
RU2777062C1 |
Способ нанесения кадмиевого покрытия прецизионным вакуумным напылением на поверхность детали | 2018 |
|
RU2708489C1 |
УСТАНОВКА ВАКУУМНОЙ ОБРАБОТКИ И СПОСОБ ВАКУУМНОЙ ОБРАБОТКИ | 2008 |
|
RU2472869C2 |
СПОСОБ ИСПАРЕНИЯ И КОНДЕНСАЦИИ ТОКОПРОВОДЯЩИХ МАТЕРИАЛОВ | 1999 |
|
RU2164549C2 |
ИСПАРИТЕЛЬ | 1997 |
|
RU2121522C1 |
Авторы
Даты
1973-01-01—Публикация