ВСЕСОЮЗНАЯ ПАТЕНГйО-ГЕХййЧЕСаУ Советский патент 1973 года по МПК H01C17/28 H01R4/10 

СПОСОБ ЭЛЕКТРИЧЕСКОГО СОЕДИНЕНИЯ МИКРОПРОВОДА В СТЕКЛЯННОЙ ИЗОЛЯЦИИ С ТОКОПОДВОДОМ

1

Известен сиособ электрического соединения микропровода в стеклянной изоляции с токоподводом, используемый, например, при изготовлении резисторов, по которому микронровод в изоляции укладывают на токоподвод, наносят на него электропроводящее покрытне и разрушают стеклянную изоляцию.

Целью изобретения является -повышение качества электрического соединения.

Для этого по предложенному способу микропровод укладывают в механически напряженном состоянии и покрытие наносят гальваническим осаждением.

Для осуш,ествления предложеиного способа предварительно создают 1 икротреш,нны в изоляции, укладывая микропровод на основание таким образом, чтобы на отдельных участках зоны контакта радиус изгиба микропровода был порядка 50-100 раднусов микропровода.

К токоподводам присоединяют микропровода диаметром 10-30 мк с жилой из меди и из различных сплавов сопротивления. На электропроводящие участки основания, на которые намотан микропровод, гальванически осаждают медь. Осуществляют это в растворе сернокислой меди (250 г/л) и серной кислоты (20 г/л) при плотности тока 4 а/дм в течение 10 мин при комнатной температуре. При наличии поверхностных микротрещин в стеклянной изоляции надежный электрический

контакт получают в процессе осаждения, поскольку изоляция провода, лежащего на электропроводящем участке, разрушается полностью. Для получения микротрещин -в зоне контактного узла микропровод наматывают на основание достаточно малого диаметра. Например, при диаметре основания в зоне контактного узла 1 мм надежный электрический контакт получают во всех случаях. Если этот

диаметр равеи 5 мм, то контакт получают примерно в 20% образцов.

При проведении экспериментов по гальвапическому осаждению серебра, которое дает контакты на значительно больших диаметрах,

хотя менее удобно по технологическим и экономическим соображениям, непосредственно к осажденному металлу приваривают либо припаивают проволочные или ленточные выводы. При контактировании к микропро&оду

диаметром 10 мк и менее применяют намотку непосредственно на проволочные выводы, предварительно прикрепленные к основанию (диаметр вывода 0,4-0,6 мм, диаметр основания 1-2 МЛ1). Перед гальваническим осаждением микропровод на основании покрывают защитным лаком.

При отсутствии микротрещин в cтeкляиlюi изоляции, погруженной в слой гальванически осажденного металла, контакт осуществляют

посредством сварки. Между двумя участками

осажденного металла создают разность потенциалов от 100 до 1000 в, в результате чего изоляция пробивается и возникающая электрическая дуга обеспечивает получение надежного контактного узла. Внутреннее сопротивление источника напряжения подбирают таким образом, чтобы сварочный ток, протекающий по цепи: осажденный металл - жила микропровода - осажденный металл, не превышал допустимых для этого микропровода значений. Используют как постоянное, так и импульсное напряжения. Импульсное напряжение дает несколько лучщие результаты. Путем механического воздействия на осажденный металл в зоне контактного узла удается уменьщить сварочное напряжение до 10 в и менее. Гальваническое осаждение металла проводят одновременно на большом количестве изделий, что позволяет добиться высокой производительности труда на этой операции.

Предложенный способ прост в осуществлении и не требует специального оборудования.

Предмет изобретения

Способ электрического соединения микропровода в стеклянной изоляции с токоподводом, по которому микропровод :В изоляции укладывают на токоподвод, наносят на него электропроводящее покрытие, и разрушают стеклянную изоляцию, отличающийся тем, что, с целью повышения качества электрического соединения, микропровод укладывают в механически напряженном состоянии и покрытие наносят гальваническим осаждением.