СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ФОТОЧУВСТВИТЕЛЬПЫХ СЛОЕВ Советский патент 1973 года по МПК H01L31/18 C23C14/06 C23C14/58 H01C7/00 

1

Изобретение относится к способам нолуче шя фоточувствительлых полупроводниковых слоев, в частности слоев фоторезисторав.

Известен способ получения фоточувствительных слоев осаждением в вакууме теллурида кадмия на поверхность нагретой подло леки с последующим отжигом покрытия на воздухе. Одна.ко слои, получаемые по извест:ному способу, обладают недостаточной чувствительностью.

Предложенный способ позволяет повысить фоточувствительность слоев теллурида кадМ|ИЯ.

Данный способ отличается от известного тем, что осаждение теллурида кадмия осуществляют с одновременным легированием наносимого покрытия йодистым кадмием из паровой фазы, а затем пр0 водят термообработку покрытия в насыщенных пазах кадмия при 350-450°С.

Способ состоит в том, что фоточувствнтельные слой получают осаждением в вакууме теллурида кадмия на поверхность нагретой подложки с одновременным легированием наносимого покрытия йодистым из паровой фазы, а затем проводят термообработку пОКрытия в насыщенных парах кадмия при 350-450°С, после чего покрытие отжигают на воздухе.

Теллурид кадмия конденсируют на подложки из изолируюи1его материала, например стекла, керамики и кварца нагретые до 350-450°С, с одновременным легированием наносимого покрытия ио,днстым кадмием из паровой фазы. Температуру испарителя (50-100°С) для йодистого кадмия должно обеспечивать отношение давления паров теллурида к давлению паров йодистого кадмия. Ползче нные таким образом покрытия подвергают термообработке в насыщенных парах кадмия при 350-450°С в течение 15-30 мин, а затем отжигу на воздухе при 400-500°С в течение 15-ЗОишн.

Фоторезисторы, изготовленные на основе слоев теллур51да кадмия, полученных по данному способу, обладают фото.чувствительиостью в 10-100 раз превыщающей чувствительность известных слоев, при темновом сопротивлении 10 -10° ом. Время фотоответа у получаемых фоторезисторО|В при освещенности 200 лк составляет от единиц до десятков миллисекунд.

Предмет изобретен и я

Способ получения фоточувствительных слоев, путем осаждения в вакууме теллурида кадмаш на поверхность нагретой подложки с последующим отжигом покрытия на воздухе, отличающийся тем, что, с целью повы34

Ш6НИЯ фоточувствительности, осаждение тел- .йодистым кадмием из паро,вой фазы, а затем лурида кадмия осуществляют с одио1вре1мен-проводят термообработку покрытия в иасыны.м легированием наносимого покрытиященных п.арах кадмия при 350-450°С.

1370278