СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ МЕТАЛЛИЧЕСКИХ ПОКРЫТИЙ Советский патент 1973 года по МПК C23C16/18 

1

Изобретение относится к получению металлических покрытий из газовой фазы.

Известен способ получения металлических покрытий термическим разложением металлоорганических соединений на нагретой подложке.

По предложенному способу для получения высококачественных покрытий из цинка и кадмия разложению подвергают диизоамильные производные этих металлов.

Для получения цинкового покрытия разложению подвергают диизоамилцинк при температуре подложки 310-330°С, а для получения кадмиевого покрытия - диизоамилкадмий при температуре подложки 230-250°С.

Пример 1. Для получения цинкового покрытия образец из стали, меди, латуни, керамики или стекла помещают в камеру с остаточным давлением 0,5 мм рт. ст. и нагревают подложку до 310-330°С. Диизоамилцинк нагревают в испарителе до температуры кипения (60-70°С), после чего пары этого вещества поступают в реакционную камеру, где разлагаются на нагретой подложке с образован-ием цинкового покрытия. Толщина цинкового покрытия зависит от времени металлизации. Так при продолжительности процесса 45 мин толщина покрытия составляет 11,5 мк.

Пример 2. Для получения кадмиевого покрытия процесс ведут аналогично. Подложку нагревают до 230-250°С, а диизоамилкадмий до 70-80°С, соответствующей его температуре кипения. После этого пары этого соединения поступают в зону реакции и, разлагаясь на нагретой подложке, образуют кадмиевое покрытие.

Толщина покрытия при продолжительности процесса 2 час составляет 21 мк. Полученные покрытия отличаются хорошей адгезией с основой, беспористы и могут служить для коррозионной защиты различных изделий.

Предмет изобретения

1.Способ получения металлических покрытий термическим разложением металлоорганического соединения на нагретой подложке, отличающийся тем, что, с целью получения высококачественных покрытий из цинка и кадмия, разложению подвергают диизоамильные производные этих металлов.

2.Способ по п. 1, отличающийся тем, что, с целью получения цинкового покрытия, разложению подвергают диизоамилципк при температуре подложки 310-330°С.

3.Способ по п. 1, отличающийся тем, что, с целью получения кадмиевого покрытия, разложению подвергают диизоамилкадмий при температуре подложки 230-250°С.