Известен способ изготовления электродов яз двуокиси марганца путем нанесения на основу азотнокислого марганца .и термического разложения последнего до двуокиси марганца.
С .целью повышения электропроводности электрода предлагается способ, по которому основу предварительно подогревают до температуры выше 90° С, предпочтительно 90- 100° С.
Опособ заключается в том, что слой двуокиси марган.ца наносят на основу налылением, например, с помощью -форсунок иди иным образом, расплава или раствора азотнокислого марга.нща на нагретую до температуры выше 90° С поверхность основы. При попадании мелких капелек раствора или расплава азотнокислого марганца на нагретую поверхность основы, капельки растекаются на поверхности в тонкую пленку слоя расплава или раствора азотнокислого марганца, которая при нагревании от основы разлагается с образованием тонкого слоя двуокиси марганца. При этом слой двуокиси марганца толщиной 1 MM в зависимости от эффективности распыления раствора или расплава азотнокислого марганца состоит из 300 или 1000 слоев. Нанесение тонкого слоя может осуществляться не только напыление.м, но и окунанием, смачиванием, натираи.ием и т. п. приемами. /После нанесения слоя раствора или расплава
на подогретую основу последнюю подвергают термообработке при температуре разложения азотнокислого марганца, например 180° С.
Пример 1. На графитовый анод наносят путем погружения в раствор азотнокислого маргавца, содержащий 500 г/л Мп(МОз)2 с последующим разложением при температуре 180° С, слой двуокиси марганца. Погружение графита на 3 мин производят с предваритель..
ным нагревом графита до температуры 90° С. Вес графита до погружения 11,4775 г. Вес анода после разложения азотнокислого .марганда, введеппого за одну операцию, 12,1059 г, привес графитового анода 0,3142 г или 2,67%,
т. е. в два раза больщий, чем без предварительного нагревания графита.
Пример 2. На титановую основу наносят слой двуокиси марганца путем погружения в раствор азотнокислого марганца, содержавшего 500 г/л Мп(МОз)2 6Н20, с последующим разложением при температуре 180° С. Слой двуокиси марганца наносят на две основы одновременно, но одну основу перед погружением нагревают до температуры 90-100°С,
а другую - до комнатной. После погружения на одну минуту основы вынимают и одновременно помещают в сушильный шкаф, где производят термическое разложение азотнокислой соли до двуокиси марганца. Указанные
операции повторяют. После 11 операций нанесения измеряют электропроводность полученных слоев двуокиси мартанца. Электропроводность двуокиси марганца, полученной п-ри нанесении на подогреваемую основу, равна 0,5 ом- на неподОГреваемую - 0,25 ол-Ч Как следует йз полученных данных, элактролроводность двуокиси марганца, получаемой при нанесении слоя на подогреваемую основу, в два раза больше, чем при нанесении слоя на ненодогреваемую основу.
Предмет и з о б р е т е н и я
Способ изготовления электродов из двуокиси марганца путем нанесевия на основу азотнокислого марганца .и термического разложения последнего до двуокиси марганца, отличающийся тем, что, с целью повышения электропроводности электрода, основу предварительно подогревают до температуры выше 90° С, предпочтительно 90-100° С.
название | год | авторы | номер документа |
---|---|---|---|
Способ изготовления анода оксидно-полупроводникового конденсатора | 1981 |
|
SU1054841A1 |
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ КАТОДНОЙ ОБКЛАДКИ КОНДЕНСАТОРА И ОКСИДНО-ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ КОНДЕНСАТОР | 2011 |
|
RU2463679C1 |
Способ изготовления анода для электрохимических процессов | 1988 |
|
SU1721127A1 |
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ОКСИДНО-ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ КОНДЕНСАТОРОВ | 1990 |
|
RU2033652C1 |
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ КАТОДНОЙ ОБКЛАДКИ ОКСИДНО-ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО КОНДЕНСАТОРА | 2005 |
|
RU2284070C9 |
Способ изготовления малоизнашиваемого анода | 1981 |
|
SU1068543A1 |
Анод для электроосаждения цинка из сернокислых растворов | 1982 |
|
SU1060709A1 |
Анод для ванн хромирования деталей | 1980 |
|
SU846607A1 |
ЭЛЕКТРОД ДЛЯ ЭЛЕКТРОХИМИЧЕСКИХ ПРОЦЕССОВ И СПОСОБ ЕГО ИЗГОТОВЛЕНИЯ | 1996 |
|
RU2110619C1 |
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ПОКРЫТИЙ ИЗ ДИОКСИДА МАРГАНЦА НА ТАНТАЛОВЫХ АНОДАХ ОКСИДНО-ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ КОНДЕНСАТОРОВ | 2020 |
|
RU2740516C1 |
Авторы
Даты
1973-01-01—Публикация