СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ЗАПОМИНАЮЩЕЙ МАТРИЦЫ Советский патент 1973 года по МПК G11C11/02 

1

ПредЛагаемое изобретение относится к области вычислительной техники, а именно к технологии изготовления интегральных запоминающих матриц.

Известен способ изготовления интегральной запоминающей матрицы посредством многослойной печати, удаления изолятора между ячейками с последующим формированием конфигурации сетки и нанесением на сетку проводников изотропного магнитного материала с прямоугольной петлей гистерезиса.

Интегральная запоминающая матрица изготавливается в следующей последовательности.

Сначала методом многослойной печати, из Г1ластика и проводящих слоев получается система проводников заданной конфигурации, образующая правильно чередующиеся перекрестия между проводниками, которые служат в дальнейщем основой для образования запоминающих элементов. Части пластика между перекрестиями проводников удаляются, и в результате образуются отверстия. Оставшемуся пластику с заключенными в нем проводниками придается форма решетки, составленной из пересекающихся под прямыми углами цилиндров равного диаметра и с осями, расположенными в одной плоскости. Получившаяся конструкция покрывается путем химического осаждения тонкой магнитной

пленкой, получаемой вэсстаповлешием никеля и кобальта из гипофосфита.

Известный способ имеет следующие недостатки: трудоемкость процесса изготовления матрицы, нетехнологичность; необходима операция удаления пластика в промежутках между проводниками и операция придания заданной формы перекрестиям решетки; плохие эксплуатационные характеристики матриц изза того, что в матрице имеется сильная емкостная связь между ортогональными проводниками из-за сплошного магнитного покрытия системы проводников. Целью изобретения является упрощение и

удешевление изготовления, улучшение эксплуатационных характер1:стик.

Поставленная цель достигается тем, что дпэлектрик, например эпоксидную смолу, оплавляют до образования уголщений нужной конфигурации iB перекрестиях проводинков. Полученн1ую матрицу погружают в раствор парафина, образовавшуюся пленку napatjjiiHa покрывают слоем эпоксидно: смолы, оплавляют эпоксидную смолу, растворяют парафин И1 производят травление магнитного материала.

Предлагаемый способ нзготовлспня интегральных запоминающих матриц состоит в

следующем.