Способ изготовления матрицы для запоминающего устройства Советский патент 1975 года по МПК G11C5/12 

Изобретение относится к области вычислительной техники, в частности к технологии изготовления интегральных магнитопленочных матриц для запоминающих устройств (ЗУ).

Известен способ изготовления матрицы для ЗУ, заключающийся в нанесении адресных и разрядных шин на металлизированный диэлектрик методом фотолитографии, оплавлении диэлектрика, расположенного между шинами, потоком горячего газа, в нанесении диэлектрика на открытые участки шин методом электроосаждения, активации, активации диэлектрика раствором хлористого палладия, химической металлизации и покрытии этой системы шин магнитным материалом с прямоугольной петлей гистерезиса.

Недостатками известного способа является необходимость применения солей драгметаллов, например, для металлизации диэлектрика, частая регенерация и корректировка раствора химического никелирования или меднения, что ведет к непроизводительной затрате химических реактивов, а операция металлизации диэлектрика не обеспечивает достаточной адгезии.

Целью изобретения является упрощение технологии изготовления матрицы, что достигается тем, что диэлектрик перед «анесением магнитного материала металлизируют путем обработки его спиртовым раствором отвердителя, затем опудривают смесью высокодисиерсных порошков плавкого связующего и металла-наполнителя, например железа, после чего проводят термообработку до плавления

плавкого связующего и затем обрабатывают в растворе соли менее активного металла, чем металл-наполнитель.

Матрица для (ЗУ) по предлагаемому способу изготавливается следующим образом.

На металлизированном лавсане методом фотолитографии изготавливают с одной стороны адресные, а с другой ортогональные им разрядные шины. Лавсановую основу оплавляют потоком горячего газа при 300-350°С.

В результате чего образуются отверстия между шинами. Открытые участки шин покрывают слоем диэлектрика, например, обрабатывая в спиртовом (1-3%) растворе отвердителя, опудривая высокодисперсным порошком эпоксидной смолы и полимеризуя при 150°С в течение 30 мин. Далее диэлектрик покрывают слоем металлонаполненного полимера, погружая заизолирова«ную систему шин в спиртовой раствор (1-5%) полиэтиленполиамина, высушивая на воздухе, опудривая смесью высокодисперсных порошков эпоксидной смолы и карбонильного железа (соотношение в вес. ч. от 50 :80 до 20 : 80, соответственно) подвергая термообработке при 80-

120°С в течение 20-40 мин и замещая желе30 медью в насыщенном растворе медного купороса при 20-50°С в течение 10-30 мин. На образовавшийся слой меди толщиной 3- 10 мк методом электролитического осаждения наносят слой 83% Ni, 17% Fe из ванны состава NiSO4-7H2O -340 г/л, NiCb-eHaO - 15 г/л, FeS04-7H2O -8 г/л, НзВОз -30 г/л, сахарин 0,8 г/л, лимонная кислота 6 г/л, плотность тока - 8 мa/cм время осаждения 1 час, толщина осажденного слоя 8 мк.

Предмет изобретения

Способ изготовления матрицы для запоминающего устройства, заключающийся в нанесении адресных и разрядных шин на металлизированный диэлектрик методом фотолитографии, оплавлении диэлектрика, расположенного Между шинами, потоком горячего газа, в нанесении диэлектрика на открытые участки шин и покрытии его магнитным материалом с прямоугольной петлей гистерезиса, отличающийся тем, что, с целЫо. упрощения технологии изготовления MafpiiUU, диэлектрик перед нанесением магнитного маМрМала металлизируют путем обработки era еййртовым раствором отвердителя, затем бпудривают смесью высокодисперснУх, порошков плавкого связующего и металла-наполнителя, например железа, после чего проводят термообработку до плавления плавкого связующего и затем обрабатывают в растворе Соли менее активного металла, чем металл-наполнитель.