СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ БЕЗДИСЛОКАЦИОННЫХ МОНОКРИСТАЛЛОВ КРЕМНИЯ Советский патент 1973 года по МПК C30B15/00 C30B29/06 

Описание патента на изобретение SU396124A1

1

Изобрете.п.ие относится к метал.турги) no.iyпро ;одннко ;.

Известны способы получения бездн елокаЦИОШ1Ы.Х монокристаллов полупроиоднцко;; вытягн;ваннем из расплава по -1охральскому, в которых после затра вливаиня выраиишают участок мо:гокристалла с диаметров, меньшим диаметра затравкн, п поддержи вают плоский фронт крнсталлизаци1И.

Известные снособы позволяют вьмюднть дисЛокацн.п на поверх ность .растущего монокрнста-лла на началь}1ой стадии его роста. Это условие является необходи.мым, по недостаточным для уСТОЙЧНВОЙ БООПрОНЗВОДНМОСТН

бездн€ло-кацпон11ых монокристаллов с учетом оеоюенностей их роста в разлдчлых кристаллографических направлениях. Та-к, например, лри выращива«ии монокристалло.в в направле:нии 110, в которых имеется группа плоскостей (1 И}, параллельных оси выращнвання, под действием термичаоких ,напряжен.й .легко происходит зарождение и размножение дислокаций на нх коннческой и цилиндрической частях.

Цель изобретения - создание тепловых , обе Снечи,вающ:их устойчивый рост бездислокационных монокристаллов кремния в направлении 110.

Для -/гого ирн выраш,1сваНн.ц бездн-лчокацнoiiHbix .o:loлp:lгcтaллoв указанной ориентации величину oceiiOfi тем;нературного градиента в твердой фазе ноддержи.вают не больше 5 50°С/г.. При этом предотвращается зарождение днсюкаций, в связи с чем увеличивается иро.нзводите.1ьнасть нроцесса.

П р и м о р . МонокрнстаЛчТЫ к.ремння. орне-птнрОВанные в направлен 1и ПО, выращн-вают

) из pac:i,. по 4oxpa,ibCKON y с нсно.чьзова1|ием тен.ювой системы, состоящей из нагрелателя - сопротивления цилиндрической формы высотой 118 мм и днаметром 140 мм, пяти боковых н двух ното/ючлых экрааю), располоГ) женныч IK1 высоте 50 и ЮО .ILU от ;НОверхносги расплава. Скорость вытягиашнии пр.н выращлва-нин монохр;гсталло.в дна метром 35 мм линейно наменяют от 1.5 до 1,0 мм/мин. Выход бездислоканл1ои:11)1х мо1 ОКристалло.5 состав0 ляет 80%.

П

р с д м е г н 3 о о р е т е н н я

СНособ по.тучен}1я безднс.токаиионных мо-нокристаллов крэмния вытягиванием из расилава по Чохрал1 скому с выранишанием участка монокристалла с диаметро м, меньшим диаметра затравк), и по.ддержанием в процессе вытятнвання нлоско1о фронта кристаллизации, or.iuMatoiujiucn тем, что. с целью обеспечения 3 безлислокаиионного .роста монокристаллов в направлении ПО, величину Осевого темпера4турлого градиент.а в твердой фазе поддерл.ивают не больше 50°С/СуИ.

Похожие патенты SU396124A1

название год авторы номер документа
Способ выращивания монокристаллов гематита @ -F @ О @ 1990
  • Безматерных Леонард Николаевич
  • Темеров Владислав Леонидович
  • Васильева Елена Павловна
  • Жгун Владимир Ильич
SU1740505A1
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО МАТЕРИАЛА 1983
  • Абрикосов Н.Х.
  • Иванова Л.Д.
  • Свечникова Т.Е.
  • Чижевская С.Н.
SU1140492A1
Способ выращивания монокристаллов L @ С @ О @ 1990
  • Безрукавников Николай Васильевич
  • Емельченко Геннадий Анатольевич
  • Малюк Андрей Николаевич
  • Масалов Владимир Михайлович
SU1738877A1
СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ 1991
  • Кожемякин Геннадий Николаевич[Ua]
RU2035530C1
СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ ВЕЩЕСТВ, ИМЕЮЩИХ ПЛОТНОСТЬ, ПРЕВЫШАЮЩУЮ ПЛОТНОСТЬ ИХ РАСПЛАВА 2015
  • Колесников Александр Игоревич
  • Каплунов Иван Александрович
  • Третьяков Сергей Андреевич
  • Морозова Кристина Александровна
  • Долгих Игорь Константинович
  • Миняев Михаил Альбертович
  • Колесникова Ольга Юрьевна
RU2600381C1
Способ выращивания монокристаллов сложных оксидов из расплава и устройство для его осуществления 1984
  • Дубовик М.Ф.
  • Назаренко Б.П.
SU1228526A1
СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ САПФИРА ИЗ РАСПЛАВА 2006
  • Николенко Маргарита Васильевна
  • Каргин Николай Иванович
  • Еськов Эдуард Викторович
RU2350699C2
СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СОЕДИНЕНИЙ ТИПА АB 2006
  • Марков Александр Владимирович
  • Шаронов Борис Николаевич
RU2327824C1
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ (ЕГО ВАРИАНТЫ) 1999
  • Александров В.И.
  • Борик М.А.
  • Вишнякова М.А.
  • Войцицкий В.П.
  • Калабухова В.Ф.
  • Ломонова Е.Е.
  • Осико В.В.
RU2133787C1
СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ CdZnTe, где 0≤х≤1 2005
  • Быкова Светлана Викторовна
  • Голышев Владимир Дмитриевич
  • Гоник Михаил Александрович
  • Цветовский Владимир Борисович
RU2330126C2

Реферат патента 1973 года СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ БЕЗДИСЛОКАЦИОННЫХ МОНОКРИСТАЛЛОВ КРЕМНИЯ

Формула изобретения SU 396 124 A1

SU 396 124 A1

Даты

1973-01-01Публикация