СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ БЕЗДИСЛОКАЦИОННЫХ МОНОКРИСТАЛЛОВ КРЕМНИЯ Советский патент 1973 года по МПК C30B15/00 C30B29/06 

1

Изобрете.п.ие относится к метал.турги) no.iyпро ;одннко ;.

Известны способы получения бездн елокаЦИОШ1Ы.Х монокристаллов полупроиоднцко;; вытягн;ваннем из расплава по -1охральскому, в которых после затра вливаиня выраиишают участок мо:гокристалла с диаметров, меньшим диаметра затравкн, п поддержи вают плоский фронт крнсталлизаци1И.

Известные снособы позволяют вьмюднть дисЛокацн.п на поверх ность .растущего монокрнста-лла на началь}1ой стадии его роста. Это условие является необходи.мым, по недостаточным для уСТОЙЧНВОЙ БООПрОНЗВОДНМОСТН

бездн€ло-кацпон11ых монокристаллов с учетом оеоюенностей их роста в разлдчлых кристаллографических направлениях. Та-к, например, лри выращива«ии монокристалло.в в направле:нии 110, в которых имеется группа плоскостей (1 И}, параллельных оси выращнвання, под действием термичаоких ,напряжен.й .легко происходит зарождение и размножение дислокаций на нх коннческой и цилиндрической частях.

Цель изобретения - создание тепловых , обе Снечи,вающ:их устойчивый рост бездислокационных монокристаллов кремния в направлении 110.

Для -/гого ирн выраш,1сваНн.ц бездн-лчокацнoiiHbix .o:loлp:lгcтaллoв указанной ориентации величину oceiiOfi тем;нературного градиента в твердой фазе ноддержи.вают не больше 5 50°С/г.. При этом предотвращается зарождение днсюкаций, в связи с чем увеличивается иро.нзводите.1ьнасть нроцесса.

П р и м о р . МонокрнстаЛчТЫ к.ремння. орне-птнрОВанные в направлен 1и ПО, выращн-вают

) из pac:i,. по 4oxpa,ibCKON y с нсно.чьзова1|ием тен.ювой системы, состоящей из нагрелателя - сопротивления цилиндрической формы высотой 118 мм и днаметром 140 мм, пяти боковых н двух ното/ючлых экрааю), располоГ) женныч IK1 высоте 50 и ЮО .ILU от ;НОверхносги расплава. Скорость вытягиашнии пр.н выращлва-нин монохр;гсталло.в дна метром 35 мм линейно наменяют от 1.5 до 1,0 мм/мин. Выход бездислоканл1ои:11)1х мо1 ОКристалло.5 состав0 ляет 80%.

П

р с д м е г н 3 о о р е т е н н я

СНособ по.тучен}1я безднс.токаиионных мо-нокристаллов крэмния вытягиванием из расилава по Чохрал1 скому с выранишанием участка монокристалла с диаметро м, меньшим диаметра затравк), и по.ддержанием в процессе вытятнвання нлоско1о фронта кристаллизации, or.iuMatoiujiucn тем, что. с целью обеспечения 3 безлислокаиионного .роста монокристаллов в направлении ПО, величину Осевого темпера4турлого градиент.а в твердой фазе поддерл.ивают не больше 50°С/СуИ.