СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ С МАЛОЙ ВЕЛИЧИНОЙ ОСТАТОЧНЫХ НАПРЯЖЕНИЙ Советский патент 1974 года по МПК C30B33/02 C30B29/12 

1

Изобретение отиосится к способам получения монокристаллов с малой величиной остаточных напряжений и может быть использовано при производстве монокристаллов, проявляющих достаточную пластичность при температуре Гпор; 0,5 Т плавления, например, щелочно-галоидных.

Известен способ получения кристаллов с малой величиной остаточных напряжений путем выращивания, отжига, механической обработки и дополнительного отжига в изотермических условиях ири температуре близкой к Т плавления.

Недостатки известного способа состоят в том, что дополнительный отжиг проводят в условиях высоких температур, близких к температуре плавления, что усложняет и удлиняет нроцесс.

С целью устранения указанных недостатков дополнительную термообработку кристаллов с низкотемпературным пределом пластичности и изделий из них проводят при температуре от Гпор до Гпл- 100°С.

Предложенный способ в полтора раза сокращает время проведения процесса, повыщает его надежность и упрощает условия проведения отжига.

Пример. Монокристальную булю из натрия хлористого диаметром 140 мм высотой 86 мм помещают в печь отжига. Температуру повыщают со скоростью 10°/час до 450°С. При этой температуре кристалл выдерживают 24 часа. Затем температуру снпжают до комнатной со скоростью 10°/час. ровень остаточных апряжений в буле 5,4 кг/см.

Предмет изобретения

Способ получения 1МО1юкр11сталлов с малой величиной остаточных напрял ений для выращивания кристаллов с низкотемпературным порогом пластичности (Тпор) путем выращивания, отжига, механической обработки и последующей дополнительной термообработки в изотермических условиях, отличающийся тем, что, с целью уменьщения длительности процесса, упрощения его условий и повыщения надежности, дополнптельи}чо термообработку проводят при температуре от Гдор до Гпл- 100°С.