СПОСОБ ОЧИСТКИ ГАЗА Советский патент 1974 года по МПК F25J3/08 

Описание патента на изобретение SU420855A1

Изобретение отиосится к области очистки газовых смесей, в частности моносилана, от примесей путем их вымораживания. Известен способ очистки газа методом вымораживания примесей со ступенчатым после- 5 довательным снижением температуры. При этом охлаждение ведут вплоть до температур минус 130 - минус 190°С в ряде последовательно расположенных теплообменников. Однако при резком снижении температуры воз- 10 можно образование тумана или аэрозоля, которые практически не осаждаются на стенках конденсационной системы, и ожидаемая эффективность очистки ие достигается. При очистке моносилана от примесей спир- 15 та образующиеся аэрозольные частицы примесей попадают в колонну низкотемпературной ректификации и ухудшают очистку. Цель изобретения - повышение степени очистки газа и предотвращение образования в газовой фазе тумана и аэрозольных частиц. Это достигается тем, что моносилан охлаждают в 3-8 стадий с попеременным снижением температуры моносилана и с последующим отогревом газа после каждой стадии охлаждения. На каждой последующей стадии о.хлаждения достигают все более низкую температуНа первой стадии охлаждают до температуры минус 12 - минус 15°С, на второй - до 30 20 25 минус 30 - минус 35°С и на каждой последующей стаДП на 10-16°С ниже, чем температура предыдущей стадии. При отогреве температуру повышают до О-50°С. Если при вымораживании образуются аэрозольные частицы, то при повыщении температуры они превращаются в пары, которые вымораживаются на стенках или насадке конденсациоигюй системы при вымораживании на каждой последующей стадии. Температуры охлаждения подобраны таким образом, чтобы не допустить повышения концентрации паров нримеси в газе, соответствующей критическому пересыщению. П р и м е р. При очистке моносилана от спирта начальная концентрация спирта в моносилане соответствует 2 мм рт. ст. В этом случае при температуре мннус 35°С образовывается туман, который трудно улавливать. При о.хлажденни до температур выще минус 35°С туман не образовывается, и спирт конденсируется не в объеме, а на стенках холодильника. В дальнейшем температуру снижают до минус н наблюдают аналогичный эффект. Еслн туман образовывается при температуре минус , то во втором холодильнике при минус 45°С он не улавливается. Когда после первого холодильпика газовую смесь

нагревают до , а затем подают во второй холодильник, конденсация спирта происходит только на стенках холодильника.

Так как начальная концентрация сннрта меняется, после первой стадии охлаждсиия всегда может образоваться туман (когда концентрация снирта выше 2 мм рт. ст.), а отогрев газовой смеси перед каждым последующим охлаждением позволяет гарантировать в любом случае, что туман на носледую цнх стадиях проскакивать не будет.

Предмет изобретения

Способ очистки газа, например моносилана, от примесей путем ступенчатого охлаждения газа до темнературы, обеснечивающей вымораживание примесей, отличающийся тем, что, с целью повышения степени очистки, газ на первой ступени охлаждают до температуры минус 12 - минус 15°С, па каждой последующей ступени снижают температуру на 10-16°С и после каждой ступени ведут отогрев газа до температуры О-50°С.

Похожие патенты SU420855A1

название год авторы номер документа
БЛОЧНО-КОМПЛЕКТНАЯ АБСОРБЦИОННАЯ УСТАНОВКА УЛАВЛИВАНИЯ ЛЕГКИХ ФРАКЦИЙ УГЛЕВОДОРОДОВ 2017
  • Икрамов Равшан Джураевич
  • Гафаров Нил Назипович
  • Икрамов Рустам Джураевич
RU2657445C1
Способ очистки криоагента 1978
  • Кирилов Игорь Иванович
  • Буткевич Игорь Константинович
SU688794A1
СПОСОБ И УСТРОЙСТВО ДЛЯ ГЛУБОКОЙ ОЧИСТКИ ИЗОТОПОВ КСЕНОНА ОТ ГАЗООБРАЗНЫХ ПРИМЕСЕЙ 2004
  • Баженов Павел Владимирович
  • Куркин Александр Юрьевич
  • Якубовский Виктор Андреевич
  • Якубовский Антон Викторович
RU2275233C2
СПОСОБ ОЧИСТКИ КРИОАГЕНТА И УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЕГО ОСУЩЕСТВЛЕНИЯ 1999
  • Беляков В.В.
  • Краковский Б.Д.
  • Мартынов В.А.
  • Сергеев И.И.
  • Удут В.Н.
  • Шубин Г.С.
RU2159401C1
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ МОНОСИЛАНА ВЫСОКОЙ ЧИСТОТЫ 1998
  • Белов Е.П.(Ru)
  • Герливанов В.Г.(Ru)
  • Заддэ В.В.(Ru)
  • Клещевникова С.И.(Ru)
  • Корнеев Н.Н.(Ru)
  • Лебедев Е.Н.(Ru)
  • Пинов А.Б.(Ru)
  • Тсуо Саймон
  • Рябенко Е.А.(Ru)
  • Стребков Д.С.(Ru)
  • Чернышев Е.А.(Ru)
RU2129984C1
Способ очистки гелия 1987
  • Стасевич Нина Павловна
  • Шевякова Светлана Алексеевна
SU1529023A1
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ МОНОСИЛАНА ВЫСОКОЙ ЧИСТОТЫ 2002
  • Белов Е.П.
  • Ефимов Н.К.
  • Лебедев Е.Н.
  • Рябенко Е.А.
  • Стороженко П.А.
RU2214362C1
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ МОНОСИЛАНА ВЫСОКОЙ ЧИСТОТЫ 2004
  • Белов Евгений Петрович
  • Горшков Александр Сергеевич
  • Ефимов Николай Константинович
  • Лебедев Евгений Николаевич
  • Монин Евгений Алексеевич
  • Стороженко Павел Аркадьевич
  • Темош Иван Иванович
RU2279403C1
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ МОНОСИЛАНА И ПОЛИКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО КРЕМНИЯ ВЫСОКОЙ ЧИСТОТЫ 2006
  • Белов Евгений Петрович
  • Заддэ Виталий Викторович
  • Стребков Дмитрий Семенович
RU2329196C1
СПОСОБ ВЫДЕЛЕНИЯ КСЕНОНА (ВАРИАНТЫ) И УСТАНОВКА ДЛЯ ЕГО ОСУЩЕСТВЛЕНИЯ 1997
  • Бондаренко Виталий Леонидович
  • Симоненко Юрий Михайлович
RU2134387C1

Реферат патента 1974 года СПОСОБ ОЧИСТКИ ГАЗА

Формула изобретения SU 420 855 A1

SU 420 855 A1

Даты

1974-03-25Публикация

1971-12-13Подача