МАТРИЦА ЗАПОМИНАЮЩЕГО УСТРОЙСТВА Советский патент 1974 года по МПК G11C11/22 

1

Р1звестны матрицы запоыинаюш,их устройств, содержащие акустически монолитные пьезотрансформаторные ячейки памяти, одноименные разрядные электроды которых соединены между собой.

Недостатком конструкции подобных матриц является высокий уровень помех при считывании информации, который определяется тем, что образованные пересечениями числовых, разрядных ц экранирующих шин-электродов многоразрядные пьезотрансформаторные ячейки памяти акустически связаны между собой. Эта связь определена тем, что пьезокерамические пластины секций пьезотрансформаторных ячеек памяти являются общими для всех ячеек. Вследствие этого сплошные пластины - благоприятная среда для распространения различных паразитных упругих деформаций. Кроме того, большая величина диэлектрической проницаемости пьезокерамических материалов обусловливает большие паразитные емкостные связи между ячейками и между разрядными и адресными шинами. В целом это ухудшает параметры ЗУ, построенных на основе цьезотрансформаторов, и требует увеличения геометрических размеров матрицы и усложнения формы электродов с целью ослабления паразитных емкостных и акустических связей. Кроме того, автоматизация процесса сборки известных матриц трудна, так как контактные площадки, к которым присоединяют выводы, расположены на различных поверхностях конструкции.

Целью изобретения яBvTяeтcя повышение помехозащищенности матрицы и улучшение технологичности ее изготовления.

Поставленная цель достигается тем, что матрица ЗУ содержит в каждой ячейке памяти дополнительные электроды, расположенные в той же плоскости, что и разрядные электроды, а экранирующий и общий электроды каждой ячейки памяти соединены по торцам и подключены к соответствующим дополнительным электродам.

Па чертеже показана матрица с тремя трехразрядными ячейками.

Матрица состоит из многоразрядных ячеек памяти , число и разрядность которых определяется объемом ЗУ. Матрица помещена .J акустически вязкую среду с малой диэлектрической проницаемостью. Ячейки памяти представляют собой многослойную конструкцию, в которую объединены пьезокерамические пластины 2. Эти пластины объединены в акустически монолитную конструкцию по экранирующему электроду 3. На одной поверхности ячейки памяти расположены разрядные электроды 4, а на противоположной поверхности - общий электрод 5. Экранирующий и общий электроды соединены по торцам с дополнительными электродами 6 к 7, которые расположены в той же плоскости, что и разрядные электроды. К электродам 6 и 7 присоединены выводы 8 и 9. Разрядные электроды ячеек памяти соответствующих разрядов соединены между собой проводящими разрядными щинами 10.

В предложенной конструкции промежутки между пьезотрансформаториыми ячейками заполнены акустически вязким компаундом с малой диэлектрической проницаемостью.

Матрица работает следующим образом.

Пьезокерамические пластины 2, которые расположены между экранирующим 3 и общим 5 электродами, поляризованы жестко при изготовлении матрицы, а участки пьезокерамики пластин между экранирующим 3 и разрядными 4 электродами поляризуются при записи информации. Направление и величина поляризации этих участков определяет записанную информацию. Записывать информацию в предлагаемую матрицу путем приложения соответствующих напряжений к разрядным и экранирующим электродам можно как на входе (управление поляризацией секции возбуждения), так и на выходе пьезотрансформатора (управление поляризацией генераторной секции). Таким образом, разрядные электроды могут быть как входными, так и выходными.

Если информация записывается на выходе, то считывание информации осуществляется пзтем подачи импульса напрял ения на общий электрод 5 (при этом экранирующий электрод 3 подключеп к общей точке устройства). Этот импульс вызывает импульсную деформацию пластины 2 между общим и экранирующим электродами и одновременно с этим импульснзпо деформацию участков пьезокерамики ,1ежду экранирующим 3 и разрядными 4 электродами. При этом на разрядных

щинах JO появляются импульсные напряжения, полярность которых определяется поляризацией пьезокорамики под соответствующими разрядными электродами, т. е. записанной информацией.

Если информация записывается на входе пьезотрансформаторов, то считывапие осуществляется нутем приложения импульса напряжения к разрядным электродам 4. В результате на общих электродах 5 появляются

импульсы напряжения, полярность которых определяется дефор1мацией участков пьезокерамики под разрядными электродами, т. е. поляризацией этих участков. Сигналы на общих электродах соответствуют ранее записанной и хранимой устройством информации.

Предмет изобретения

Матрица запоминающего устройства, содержащая акустически монолитные пьезотрансформаторные ячейки памяти, одноименные разрядные электроды которых соединены собой, отличающаяся тем, что, с целью повыщения помехозащищенности матрицы и улучщения технологичности ее изготовления, она содержит в каждой ячейке памяти дополнительные электроды, расположенные в той же плоскости, что и разрядные электроды, а экранирующий и общий электроды каждой ячейки памяти соединены по торцам и подключены к соответствующим дополнительным электродам. / X ,.m. yJ / X/