СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МАГНИТНЫХ ГОЛОВОК Советский патент 1974 года по МПК G11B5/147 

1

Изобретопие относится к области приборостроения, в частности, к способам изготовления AifirHHTHbix головок, используемых в ап:uip;iTVpo магнитной заниси.

Известен способ изготовления магнитных головок, основанный на вынолнении магнитопроЕода УТИХ головок из пакета оксидируе.-;;; X и соединяемых под давлением между соnoii посредством раснлавляемого стекла магliiiTOM/nKHX пластин.

I 0 при использовании известных способов ; процессе обработки магнитопровода послед11П 1 члстпчпо теряет свои магнитные свойг гва.

Целью изобретения является повышение пядсжиости сохранения магнитных свойств маг.митопропода при его термической обработке ;:()д даилепием.

Это достигается за счет того, что по пред„ии-аемому способу оксидный слой на поверхности пластин создают при 300-500°С соответственно в течение 120-15 мин и далее спекают пакет пластин в бескислородной среде под давлением в 0,,02 атм при 1000- .

После обработки нластин магнитонровода н печи н оставляют там же остывать, что

необходимо для создания на пластинах тонкой пленки (порядка 1 мкм) оксидного материала. Это позволяет не только существенно повысить омическое сопротивление между

пластинами, но и увеличить адгезию стекла к металлу. После иолучення оксидной пленки производят обезжиривание нластин и далее их сборку в пакет, предварительно неред этим пo.ecтив между пластинами стеклянный

облой в виде фольги, эмали или иорошка. Пакеты освобождают при комнатной температуре, после чего производят алмазным инструментом съем стеклянного облоя.

Предмет изобретения

Способ изготовления магнитных головок, основанный на выполнении магнитопровода из пакета оксидируемых и соединяемых под давлением между собой посредством расплавляемого стекла магнитомягких пластин, отличающийся тем, что, с целью иовышения надежности сохранения магнитных свойств магнитопровода, оксидный слой на поверхности пластин создают при 300-500°С соответственно в течение 120-15 мин и спекают пакет в бескислородной среде иод давлением в 0,01--0,02 атм при 1000-1150°С.