Кассета для групповой химической обработки пластин Советский патент 1974 года по МПК H01L7/68 

1

Изобретение относится к оборудованию для жидкостной хшшческои обработки полупроводниковых пластин, применяемому в электронной и полупроводниковой технике, и, в частноети, при химической обработке кремниевых и ситалловых пластин.

Известны кассеты для групповой обработки полупроводниковых пластин, содержащие корпус с пазами длл удержания пластин.

Недостатком таких кассет является то, что в них не обеспечивается требуемая равномерность травления из-за загрязнения слоя у поверхности обрабатываемых пластин продуктами реакции и его обеднения. Загрязненный и обедненный приповерхностный слой реактива в то же время препятствует поступлению свежего реактива к обрабатываемой поверхности.

Предложенная кассета выполнена в виде диска с кольцевой проточкой конической формы, имеющего два

|ряда штырьков, размещенных по двум концентрическим окружностям. Плоскости пластины могут располагаться под разными углами к радиус-вектору, проведенному через наружный щтырек, на который опирается пластина.

Такое расположение пластин позволяет при вращении кассеты создать направленный поток реактива вдоль полупроводниковых пластин и вести их обработку непрерывно свежими порциями реактива с эффектным удалением продуктов реакции, чем достигается качественная равномерная химическая обработка их поверхностей. Кроме того, такая кассета становится универсальной, так как возможна обработка полупроводниковых пластин круглой и пршлоугольной формы различных размеров.

На фиг. I и 2 изображена описываемая кассета в двух проекциях.

Кассета длл групповой химической обработки, полупроводниковых шгастин состоит из корпуса I в виде диска с кольцевой проточной конической формы, переходящей в прямоугольную, снабженного тангенциально расположенными пазами, образова ными двумя рядами штырьков 2 и 3, размещенных по двум концентрически окружностям. Полупроводниковые пластины 4 жлЕ 5 разных размеров круглой или прямоугольной формы закладываются между штырьками ;2 и 3 наружного и внутреннего ряда. При этом плоскос ти пластин могут располагаться под различными углами к радиусам-векторам,проведенным к опорныгл штырькам наружного ряда. При вращении кассеты с полупроводниковыми пластинами 4 или 5 в реакционной камере создается направленный поток реактива вдоль полупроводниковых пластин происходит непрерывное удалениепродуктов реакции с поверхностей обрабатываемых полупроводниковых пластин, тем самым обеспечивается требуемая равномерность травления и высокое качество химической обработки их поверхности. ЕРЕдаКС ИЗОЕРЕТЕЕШЯ Кассета для групповой химической обработки пластин,выполненная в виде диска с кольцевой проточкой и средствами удержаюял пластин, отличающаяся тем, что, с целью повышения качества и интенсификации химической обработки-поверхностей пластин, она выполнена в виде диска, имещего два ряда цилиндрических штырьков, расположенных по двум концентрическим окружностям.

Фиг.1 Фиг. 2