Устройство для групповой обработки полупроводниковых элементов Советский патент 1980 года по МПК H01L21/306 

(54) УСТРОЙСТВО ДЛЯ ГРУППОВОЙ ОБРАБОТКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ЭЛЕМЕНТОВ Изобретение относится к радиотехн ке и может быть использовано для производства полупроводниковых приборов, в частности, для групповой обработки полупроводниковых элеменИзвестно устройство для групповой химической обработки полупроводниковых элементов, содержащее герметичную камеру и кассету l3. Недостатком такого устройства является ТО, что при обработке в общем объеме агрессивного травления большого числа арматур нарушение химически СТОЙКОГО покрытия металлических частей даже одной арматуры приводит к ухудшению качества всех, одновременно обрабатываемых арматур за счет адсорбции ионов, растравленного металла из травителя на обрабатываемую поверхность кремния. Наиболее близким по технической сущности является устройство для групповой обработки в потоке реаген та, содержгидее герметичную камеру С каналги ш подвода и отвода реагент и кассету /5J. Недостатками этого устройства яв .ляются необходимость ручной загрузк и выгрузки каждого полупроводникового элемента в индивидугшьные ячейки, неизбежный контакт протравленного полупроводникового элемента с воздушной средой перед операцией промывки а также невозможность .обработки полупроводникового элемента газообразными составами, что снижает качество полупроводникового элемента. Кроме ТОГО, из-за значительного расстояния обрабатываемой поверхности полупроводникового элемента от экрана происходит неэкономичный расход обрабатывающего реагента за счет неполного участия в реакции всего объема ЖИДКОСТИ, имекадейся в ячейке. Цель изобретения - повьанение качества обработки и снижение расхода реагентов. Указанная цель достигается тем, ЧТО в устройстве для групповой обработки полупроводниковых элементов, преимущественно в потоке реагента, содержащем герметичную камеру с каналами подвода и отвода реагента и кассету, Кс1мера выполнена в виде двух герметично соединенных симметричных конусообразных полостей, между которыми размещена кассета

со сквозными отверстиями и фиксаторами полупроводниковых элементов, причем разность диаметров отверстия и полупроводникового элемента находится в пределах 1-3 мм.

На фиг. 1 изображено устройство для групповой обработки полупроводниковых элементов, разрезj на фиг.2 то же, вид сверху.

Кассета 1 с загруженными в ее отверстия полупроводниковыми элементами 2 помещена между двумя герметично соединенными симметричными конусообразными полостями, образуемыми полукорпусами 3, герметично соединенными через прокладку 4 зажимами 5. Таким образом обрабатывающий реагент агрессивный жидкий или газообразный травитель, деионизированная вода, горячий воздух) попадает в полость 6, затем через отверстия 7, -в которых размещены полупроводниковые элементы 2, в полость 8.

Симметричное расположение отверстий относительно центрального входа и одинаковый их диаметр обеспечивает равномерный поток реагента в каждом отверстии.

Материал полукорпусов и кассеты фторопласт.

Использование сменной кассеты, которая загружается на предыдущей операции технологического процесса групповым методом, сводит процесс загрузки на операции травления элементов к помещению в устройство загруженной кассеты. Закрытое исполнение устройства и наличие индивидуального отверстия для каждого полупроводникового элемента позволяет осуществлять последовательно ряд химических обработок в. жидких и газ.образных средах, минуя промежуточны перегрузки и исключая контакт с воздушной средой, индивидуально для каждого загруженного в устройство

элемента, что повышает качество полупроводниковых элементов.

Такая конструкция устройства позволяет осуществлять групповую или автоматическую загрузку полупроводниковых элементов в отверстия кассеты вне устройства, а также проводить последовательно, исключая перегрузки и контакт с воздушной средой, непрерывный цикл операций: травление в агрессивных жидких или газообразных

средах, промывку моющими и обезжиривающими реагентами и осушку горячим воздухом индивидуально каждого загруженного полупроводникового элемента, что повышает качество обрабатываемых

элементов, а также обеспечивает экономичный расход обрабатывающих реагентов.

Формула изобретения

Устройство для групповой обработки полупроводниковых элементов, преимущественно в потоке реагента, содержащее герметичную камеру с каналами подвода и отвода реагента в кассету, отличающееся тем, что, с целью повышения качества обработки и снижения расхода реагентов, камера выполнена в виде двух герметично соединенных симметричных

конусообразных полостей, между которыми размещена кассета со сквозными отверстиями и фиксаторами полу|1роводниковых элементов, причем разность

5 диаметров отверстия и полупроводникового элемента находится в пределах 1-3 мм.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

л 1. Авторское свидетельство-СССР 503319, кл. Н 01 Л 21/203, 1974. 2. Авторское свидетельство СССР 457125, кл. Н 01 L 7/68, 1973 (прототип).