Кристаллодержатель затравочных кристаллов Советский патент 1974 года по МПК B01J17/06 

Изобретение относится к технмке выращивания монокристаллов и может быть использовано, например при выращивании монокристаллов из растворов в бор-бариевых расплавах.

Известен кристаллодержатель для выращивания монокристаллов из раствора в расплаве ВаО - B20g с

неоднородным температурным полем в динамическом режиме на затравку состоящий из вала, мешалки и скобообразного кристаллоносца. Однако кристаллоносец такого кристаллодержателя за счет теплоотвода переохлажден по отношению к раствору - расплаву и вследствие этого на нем образуются паразитные кристаллы, из-за чего нарушается управление процессом кристаллизации.

Цель изобретения устранение переохлаждения кристаллоносца.

Предлагаемый кристаллодержатель затравочных кристаллов для выращивания из раствора расплава включающий вертикальный вал, на котором закреплен кристаллоносец и установлен тепловой экран, отличается тем, что кристаллоносец вылолнен в виде кольца, закрепленного в горизонтальной плоскости с помощью изогнутых теплоотводящих стержней, расположенных ниже плоскости расположения кольца. Такой кристаллодержатель позволяет избежать образования паразитных кристаллов, что обеспечивает его преимущество перед известным.

На чертеже изображен предлагаемый кристаллодержатель затравочных кристаллов.

Кристаллодержатель состоит из вала I, изогнутых теплоотводящих стержней 2, кольца 8 с затравочными кристаллами й-теплового экрана

J

Кристаллодержатель с затравоч ными кристаллами, закрепленными . 450 3 на кольце, вводят в раствор-распгав с неоднородным температурным полем (температура поверхности ниже чем у дна). Так как кольцо укреплено на изогнутых теплоотводящих стерж,нях, выведенных из более горячей области раствора, оно будет несколь ко перегрето по отношению к соприкасающемуся с ним раствору -расплаву. За счет же укрепленного на валу вблизи поверхности растворарасплава теплового экрана, диаметр которого меньше диаметра кольца. темпеоатуоа поверхности растворапя пля я Ллизи вала будет выше раСПЛаВо ВОЛИои дала иудс выше, чем В месте расположения затравочHMY ипиртяллпв Такии пбоазом vcT SSflSpS пЛ ояян5р пяпазитныу раняется ооразование паразитных и-пмртят1Т1пт1 ня тгпмгфятгипнпрцр и КрИС1с1ЛЛии па КриьАаллипиоцс и валу, особенно в месте его входа 4 в раствор-расплав. Следует отметить, что при использовании кристаллоносца в виде кольца все затравочные кристаллы растут в одинаковых теплофизических условиях. пррлмрт ИЧПКРРТРНМЯ Шадмл. шбоьеытшп Кристаллодержатель затравочных кристаллов для выращивания из раствора-расплава, включающий вертикальный вал, на котором закреплен кристаллоносец и установ тепловой экран, отличающийся ° устранения пере охлаждения кристаллоносца, он- выППТТНРН -R -рмтгр wmTT,Trn чятгпрттоиJ Jf« ор25он аль2ой плоск ною в горИйОНАальнои плоскости ° помощью изогнутых теплоотводяРТРП НРЙ ПЯПППТГПЖРННЫУ нижр ЩИА oicpAncH, рсюиилижсппыл tiyittM ппрпплп рииа тгтгчтя плоскости расположения кольца.