Способ изготовления матрицы для запоминающего устройства Советский патент 1975 года по МПК G11C5/12 

1

Изобретение относится к области вычислительной техники, в частности к технологии изготовления матриц для запоминающих устройств (ЗУ) ЭВМ.

Известен способ изготовления матриц для ЗУ, заключающийся в нанесении адресных и разрядных щин на металлизированный диэлектрик, оплавлении диэлектрика, расположенного между шинами, потоком горячего газа с последующей изоляцией эпоксидной смолой, металлизацией и покрытием этих шин л агнитным материалом с прямоугольной петлей гистерезиса.

Однако при использовании известного способа толщина изоляционного слоя между шинами и магнитным слоем неравномерна из-за неоднородности -поверхностного натяжения слоя изолирующего материала в процессе его нанесения, а изоляция в местах утоньщения ненадежна.

Целью изобретения является повыщение качества матрицы.

Эта цель достигается тем, что перед нанесением изоляционного покрытия из эпоксидной смолы на шины наносят Смесь из неплавкого материала, например MgO.

На металлизированном с двух сторон лавсане методом фотолитографии изготавливают

с одной стороны - адресные, а с другой-ортогональные им разрядные шины. Оплавляют матрицу в потоке горячего газа. На шины наносят методом опудривания смесь: окись металла - связующее, например MgO и эпоксидная смола (2:1). Затем изолируют шины эпоксидной смолой, металлизируют и покрывают методом химического осаждения магнитным материалом с прямоугольной петлей гистерезиса.

Предмет изобретения

Способ изготовления матрицы для запоминающего устройства, заключающийся в нанесении адресных и разрядных щин на металлизированный диэлектрик, оплавлении диэлектрика, расположенного между шинами, потоком горячего газа с последующей изоляцией эпоксидной смолой, металлизацией и покрытием этих щин магнитным материалом с прямоугольной петлей гистерезиса, отличающийся тем, что, с целью повышения качества матриць, перед нанесением изоляционного покрытия из эпоксидной смолы на шины иаиосят смесь из неплавкого материала, например MgO.