Способ изготовления матрицы для запоминающего устройства Советский патент 1976 года по МПК G11C5/12 

ризуют полученный слой изоляции при оптимальной температуре, например 15О 170°С Все операции производят многократно для достижения требуемой толщины изоляци ( мкм). Формула изобретения Способ изготовления матрицы для запо минающего устройства, заключающийся в нанесении адресных и разрядных шин на металлизированный диэлектрик методом фотолитографии, оплавлении диэлектрика, расположенного между шинами, потоком горячего газа, металлизации изолированных адресных и разрядных шин и покрытия их магнитным материалом, о тличаю - щ и и с я тем, что, с целью повышения надежности матрицы, перед металлизацией адресных и разрядных шин на открытые участки этих шин наносят диэлектрик методом окунания матрицы в спиртовой раствор отвердителя, затем высушивают растворитель и наносят на слой отвердителя смесь из высокодисперсных порошков связующего и неплавкого изоляционного наполнителя, затем оплавляют при температуре выше плавления связующего и полимеризуют полученный слой изоляции при оптимальной температуре.