Логический элемент и-не Советский патент 1975 года по МПК H03K19/36 

Изобретение относится к цифровой технике.

Известен транзисторно-транзисторный логический элемент «И-НЕ со сложным инвертором, содержащим дополняющие транзисторы типов п-р-п и р-п-р.

Цель изобретения - повышение нагрузочной способности схемы и упрощение цепи управления сложным инвертором, содержащим дополняющие транзисторы.

С этой целью в схему дополнительно установлен транзистор типа р-п-р, эмиттер которого соединен с щиной питания, коллектор - с базой дополняющего транзистора типа р-п-р сложного инвертора и через резистор-с базой многоэмиттерного транзистора, а база дополнительного транзистора типа р-п-р соединена со средней точкой делителя на резисторах, который подключен между щиной питания и коллектором транзистора усилительного каскада.

На чертеже приведена электрическая схема логического элемента «И-НЕ.

Логическая часть 1, выполняющая функцию «И, содержит многоэмиттерный транзистор 2 и резистор 3. Сложный инвертор 4 построен на дополняющих транзисторах, 5 6 типов п-р-п и р-п-р. Цепь управления инвертором собрана на транзисторах 7, 8 и резисторах 9-11.

Схема работает следующим образом.

Когда на один или несколько входов подается низкий уровень напряжения, напряжение на базе транзистора 7 недостаточно для открывания транзисторов 7, 5. Поэтому ток 5 через резистор 11 не протекает, и транзистор 8 закрыт. При этом входной ток схемы протекает через эмиттерпый переход транзистора 6, резистор 3 и эмиттерный переход транзистора 2. Следовательно, транзистор 6 на.хо0 дится в режиме насыщения, и высокий уровень напряжения на выходе схемы отличается от напряжения источника питания на величину напряжения насыщения этого транзистора.

5 Если на всех входах схемы повышать напряжение, пропорционально повышается напряжение на базе транзистора 7. При некоторой его величине этот транзистор открывается, и через резистор 11 начинает течь ток, ко0 торый создает на нем падение напряжения,

достаточное для насыщения транзистора 8.

Насыщенный транзистор, щунтируя переход

база-эмиттер транзистора 6, закрывает его.

При дальнейшем повышении входного напряжения транзистор 5 открывается и переходит в режим насыщения, обеспечивая на выходе схемы низкий уровень напряжения.

Использование усилительного транзистора в схеме со сложным инвертором на дополня0 ющих транзисторах приводит к повышению ее

нагрузочной способности. Кроме того, нагрузочная способность повышается благодаря подключению резистора 3 к коллектору транзистора 8 и базе транзистора 6.

Когда схема закрыта, протекающий через резистор 3 входной ток, являющийся током нагрузки предыдущей схемы, уменьшается вследствие того, что резистор 3 подключен не непосредственно к источнику питания, а через эмиттерный переход транзистора 6. В открытой схеме он подключается к источнику питания через насыщенный транзистор 8.

Температурная зависимость нагрузочной способности элемента меньше, чем у известных схем, вследствие большей температурной зависимости входного тока, компенсирующей изменение ма:ксимально допустимого тока нагрузки при изменении температуры.

Предмет изобретения

Логический элемент «И-НЕ, содержащий схему «И на многоэмиттерном транзисторе и резисторе, усилительный каскад и сложный инвертор на дополняющих транзисторах типа п-р-п и р-п-р, отличающийс я тем, что, с целью повышения нагрузочной способности и упрощения пепи управления, в

нем дополнительно установлен транзистор типа р-п-р, эмиттер которого соединен с шиной питания, коллектор - с базой дополняющего транзистора типа р-п-р сложного инвертора и через резистор - с базой многоэмиттерного

транзистора, а база дополнительного транзистора типа р-п-р соединена со средней точкой делителя на резисторах, который подключен между шиной питания и коллектором транзистора усилительного каскада.

Входы

РЬВылад