Известный способ получения многоэлектродных структур для электровакуумных приборов не обеспечивает высокой точности микрорельефа на диэлектрической подложке для сложного по конфигурации профиля.
Предложенный способ позволяет повысить точность геометрии электродной структуры благодаря тому, что алюминиевую подложку подвергают "мягкому" анодированию, линии контуров и места углублений структуры защищают фоторезистом, проводят дальнейшее анодирование алюминия на требуемую глубину, затем снимают фоторезист, стравливают первичный слой "мягкого" анодирования, вытравливают на нужную глубину алюминий в местах углублений и проводят окончательное анодирование.
Способ поясняется фиг. 1-7.
Заготовку из алюминиевого листа, например, в виде прямоугольника 1 (фиг. 1) полируют и подвергают кратковременному "мягкому" анодированию для получения тонкой окисной пленки 2 (фиг. 2), обладающей низкой химической стойкостью и обеспечивающей прочную адгезию с фоторезистом. На одной из анодированных поверхностей алюминия методом фотолитографии получают рисунки будущих анодно-сеточных узлов, причем места будущих контуров и углублений и обратная поверхность алюминия экранируются фоторезистом 3 (фиг. 3). Незащищенные фоторезистом участки анодируют до толщины, обеспечивающей сохранение устойчивой формы окисного слоя 4 (фиг. 4) при последующем вытравливании алюминия. После удаления фоторезиста в местах будущих углублений и контуров стравливают первичный "мягкий" слой (фиг. 5) и проводят одновременное полирование и травление алюминия на глубину, равную расстоянию между анодом и сеткой будущей анодно-сеточной структуры. В результате избирательного вытравливания алюминия образуется углубление, превышающее по ширине отверстие в оксидной пленке, через которое происходит вытравливание алюминия (фиг. 6). Затем проводят окончательное анодирование (фиг . 7), стравливание алюминия и формирование электродов, например, вакуумным напылением.
название | год | авторы | номер документа |
---|---|---|---|
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПОДЛОЖЕК | 1974 |
|
SU524440A1 |
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СИСТЕМЫ ЭЛЕКТРОДОВ ДЛЯ ЭЛЕКТРОВАКУУМНОГО ПРИБОРА | 1974 |
|
SU529772A1 |
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОДЛОЖКИ ДЛЯ УПРАВЛЯЮЩИХ ЭЛЕКТРОДНЫХ СТРУКТУР | 1983 |
|
SU1131379A1 |
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ДЕТАЛЕЙ С ОТВЕРСТИЯМИ В УГЛУБЛЕНИЯХ | 1976 |
|
SU580767A1 |
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ДЕТАЛЕЙ С ОТВЕРСТИЯМИ ИЗ АНОДНОЙ ОКИСИ МЕТАЛЛА | 1977 |
|
SU688022A1 |
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОГО СЛОЯ НА ПОВЕРХНОСТИ АЛЮМИНИЕВОЙ ПОДЛОЖКИ | 2018 |
|
RU2694430C1 |
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ | 1978 |
|
SU716427A1 |
АВТОЭЛЕКТРОННЫЙ МИКРОТРИОД И СПОСОБ ЕГО ИЗГОТОВЛЕНИЯ | 2006 |
|
RU2360321C2 |
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ДЕТАЛЕЙ С ОТВЕРСТИЯМИ | 1972 |
|
SU430763A1 |
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПОДЛОЖЕК С ОТВЕРСТИЯМИ | 1992 |
|
RU2030136C1 |
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ЭЛЕКТРОДНОЙ СТРУКТУРЫ ДЛЯ ВАКУУМНЫХ МИКРОПРИБОРОВ, включающий операции электрохимического анодирования, защиты отдельных участков подложки, ее травления и формирования на ней электродов, отличающийся тем, что, с целью повышения точности геометрии структур, алюминиевую подложку подвергают "мягкому" первичному анодированию, линии контуров и места углублений многоэлектродной структуры защищают фоторезистом, проводят дальнейшее анодирование алюминия на требуемую глубину, затем снимают фоторезист, стравливают первичный слой "мягкого" анодирования, вытравливают на необходимую глубину алюминий в местах будущих углублений и контуров и проводят окончательное анодирование.
Авторы
Даты
1994-08-30—Публикация
1972-04-06—Подача