СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ЭЛЕКТРОДНОЙ СТРУКТУРЫ ДЛЯ ВАКУУМНЫХ МИКРОПРИБОРОВ Советский патент 1994 года по МПК H01J9/02 

Описание патента на изобретение SU470226A1

Известный способ получения многоэлектродных структур для электровакуумных приборов не обеспечивает высокой точности микрорельефа на диэлектрической подложке для сложного по конфигурации профиля.

Предложенный способ позволяет повысить точность геометрии электродной структуры благодаря тому, что алюминиевую подложку подвергают "мягкому" анодированию, линии контуров и места углублений структуры защищают фоторезистом, проводят дальнейшее анодирование алюминия на требуемую глубину, затем снимают фоторезист, стравливают первичный слой "мягкого" анодирования, вытравливают на нужную глубину алюминий в местах углублений и проводят окончательное анодирование.

Способ поясняется фиг. 1-7.

Заготовку из алюминиевого листа, например, в виде прямоугольника 1 (фиг. 1) полируют и подвергают кратковременному "мягкому" анодированию для получения тонкой окисной пленки 2 (фиг. 2), обладающей низкой химической стойкостью и обеспечивающей прочную адгезию с фоторезистом. На одной из анодированных поверхностей алюминия методом фотолитографии получают рисунки будущих анодно-сеточных узлов, причем места будущих контуров и углублений и обратная поверхность алюминия экранируются фоторезистом 3 (фиг. 3). Незащищенные фоторезистом участки анодируют до толщины, обеспечивающей сохранение устойчивой формы окисного слоя 4 (фиг. 4) при последующем вытравливании алюминия. После удаления фоторезиста в местах будущих углублений и контуров стравливают первичный "мягкий" слой (фиг. 5) и проводят одновременное полирование и травление алюминия на глубину, равную расстоянию между анодом и сеткой будущей анодно-сеточной структуры. В результате избирательного вытравливания алюминия образуется углубление, превышающее по ширине отверстие в оксидной пленке, через которое происходит вытравливание алюминия (фиг. 6). Затем проводят окончательное анодирование (фиг . 7), стравливание алюминия и формирование электродов, например, вакуумным напылением.

Похожие патенты SU470226A1

название год авторы номер документа
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПОДЛОЖЕК 1974
  • Григоришин И.Л.
  • Игнашев Е.П.
  • Дубровенская И.Е.
  • Котова И.Ф.
  • Кравец Г.М.
  • Сурмач О.М.
SU524440A1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СИСТЕМЫ ЭЛЕКТРОДОВ ДЛЯ ЭЛЕКТРОВАКУУМНОГО ПРИБОРА 1974
  • Григоришин И.А.
  • Кухновец В.Н.
  • Больбасов В.С.
  • Морозов Г.А.
SU529772A1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОДЛОЖКИ ДЛЯ УПРАВЛЯЮЩИХ ЭЛЕКТРОДНЫХ СТРУКТУР 1983
  • Григоришин И.Л.
  • Котова И.Ф.
  • Шкунов В.А.
  • Воробьев Л.В.
SU1131379A1
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ДЕТАЛЕЙ С ОТВЕРСТИЯМИ В УГЛУБЛЕНИЯХ 1976
  • Григоришин И.Л.
  • Кухновец В.Н.
  • Котова Н.Ф.
SU580767A1
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ДЕТАЛЕЙ С ОТВЕРСТИЯМИ ИЗ АНОДНОЙ ОКИСИ МЕТАЛЛА 1977
  • Григоришин И.Л.
  • Сурмач О.М.
  • Шохина Г.Н.
SU688022A1
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОГО СЛОЯ НА ПОВЕРХНОСТИ АЛЮМИНИЕВОЙ ПОДЛОЖКИ 2018
  • Алясова Екатерина Евгеньевна
  • Шиманович Дмитрий Леонидович
RU2694430C1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ 1978
  • Григоришин И.Л.
  • Матусевич В.В.
  • Сурмач О.М.
  • Шохина Г.Н.
  • Котова И.Ф.
SU716427A1
АВТОЭЛЕКТРОННЫЙ МИКРОТРИОД И СПОСОБ ЕГО ИЗГОТОВЛЕНИЯ 2006
  • Татаренко Николай Иванович
RU2360321C2
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ДЕТАЛЕЙ С ОТВЕРСТИЯМИ 1972
  • Кравец Г.М.
  • Котова И.Ф.
  • Шохина Г.Н.
  • Григоришин И.Л.
  • Больбасов В.С.
  • Игнашев Е.П.
SU430763A1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПОДЛОЖЕК С ОТВЕРСТИЯМИ 1992
  • Игнашев Е.П.
  • Кривоусова А.К.
  • Сидоренко Г.А.
  • Гричанов Г.А.
RU2030136C1

Иллюстрации к изобретению SU 470 226 A1

Формула изобретения SU 470 226 A1

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ЭЛЕКТРОДНОЙ СТРУКТУРЫ ДЛЯ ВАКУУМНЫХ МИКРОПРИБОРОВ, включающий операции электрохимического анодирования, защиты отдельных участков подложки, ее травления и формирования на ней электродов, отличающийся тем, что, с целью повышения точности геометрии структур, алюминиевую подложку подвергают "мягкому" первичному анодированию, линии контуров и места углублений многоэлектродной структуры защищают фоторезистом, проводят дальнейшее анодирование алюминия на требуемую глубину, затем снимают фоторезист, стравливают первичный слой "мягкого" анодирования, вытравливают на необходимую глубину алюминий в местах будущих углублений и контуров и проводят окончательное анодирование.

SU 470 226 A1

Авторы

Григоришин И.Л.

Кравец Г.М.

Шохина Г.Н.

Котова И.Ф.

Игнашев Е.П.

Даты

1994-08-30Публикация

1972-04-06Подача