Негативный фоторезист Советский патент 1975 года по МПК G03C1/68 

1

Изобретение касается негативного фоторезиста, исиользуе.мого в фотолитографии, при изготовлении нечатных нлат, офсетных форм клише, трафаретов и других отраслях иромышленности.

Известен негативный фоторезист марки ФН-11 на основе полимера и фотосшиватсля бисазидного тина. В качестве нолимера применен модифицироваиный фенолом и энихлоргидрином, а также эиоксидированный и обработанный фенолом синтетический или натуральный каучук.

Недостатком известного негативного фоторезиста является невоспроизводимость качественного запдитного рельефа прн неизменных условиях эксионирования.

С целью у.меньшения на норядок эксноиирования пленок фоторезиста предлагают нрименять в качестве полимерной основы фоторезиста высокомолекулярную фракнию циклизоваииого каучука с узким расиределением по молекуляриым весам.

Пленкообразуюпгий комнонент фоторезиста получают растворепном циклизованного каучука в органическом растворителе (толуол, ксилол и др.), добавлением к раствору определенного количества осадителя (апетон, метиловый спирт, этиловый спирт и др.), нагреванием до полного растворения выиавнлего осадка, осаждение.м при медленном охлажденни фракции каучука, декантацией н сушкой ее при комнатной тe mepaтype под вакуумом.

Фоторезист получают раствореинем в оргаппческо.м растворптеле или смеси растворителей гг,теикообразующего компонеита с распреде,тепием по молек ляриым весам 30000 :.Д1„ 35000 и фотосшивателя бисазпдпого типа в количестве 3-7% от веса полимера.

Пример. 10 г цпклпзовапного натурального каучука (приьедеииая вязкость 25 мл/г) растворяют в 50 мл толуола. К раствору добар-ляют 25 мл ацетона. Смесь пагревают до полио1о растпорепия выпавпюго осадка и медленно охлаждают. Фракщпо каучука декаптпpyiov и сушат под вакуумом прп компатпой ic ,)атуре.

Получают 2.5 каучука с приведенной вязкоспзЮ 36 л:л/г. что соотвстствуст расп|)еделенмю по молекулярпьМ весам ЗОООО Л/п:: ; 35000. Готовят 15%-ный раство : полученной фракции каучука в растворителей толупл-лг-ксилол (3:1) и добавляют 3% 4.4диазидбепзальциклогексаиона от веса полимера.

Раствор nanocs; на очннц,еииую п обезжиренную подложк козара (меди. 1ип;еля). 06разовавп1у1ося пленку сушат 20 iпн при 80°С, затем экспонпруюг под лампо ДРи1-250 на расстояшп 25 см в течение 1 лнп пленочный негатив. Экспоннрованную нленку фо3

торсзиста обрабатывают уайт-спиритом, в котором нсоблучениые участки пленки растворяются. Образовавшийся рисунок подвергают термической обработке при 140°С в течепие 30 мин. Защитный рельеф структировапного фоторезиста толщиной в 2 мкм позволяет проводить травление ковара (меди, никеля) на глубину 100 мкм.

Негативный фоторезист характеризуется следующей особенностью. Высокомолекулярная фракпия каучука с узким молекулярновесовым распределением определяет высокую степень структурирования пленок фоторезиста при облучении их малой дозой ультрафиолетового излучения. В результате замены пленкообразующего компопента в фоторезисте марки ФН-11 (ТУ № 6-14-631-71 МХП) высокомолекулярнои срракииеп- циклизовапного каучука с молекуляриовесовым распределением 30000 Л1,г 35000 уменьшается на порядок необходимое для получения защитного рельефа время экспонирования плепок фоторезиста в эквивалентных условиях.

Предмет изобретения

Негативный фоторезист на основе циклизованного каучука ароматического бисазида и растворителя, о т .т и ч а ю щ и и с я тем, что, с целью уменьгиепия на порядок времени экспонироваиия пленок фоторезиста, применена высокомолекулярная фракция циклизованного каучука с узким распределением по молекулярпьгм весам 30000: Л-1„ 35000.