Негативный фоторезист Советский патент 1980 года по МПК G03C1/68 

1

Изобретение относится к нэгативным фоторезистрам, которые испольэуют в фотолитографии.

Известен негативный фоторезист, включающий циклизованный каучук, 2,6-ди-(4-азидобейзаль)циклогексанон и толуол 1.

Недостатком указанного фоторезистра является его высокая микродефектность. Так, при толщине сформированной из него защитной пленки О,5 мкм он имеет более 500 проколов/см .

Цель изобретения - снижение микродефектности фоторезиста.

Поставленная цель достигается тем, что указанный фоторезист дополнительно содержит, ацетофенон при следующем соотношении компонентов, вес.%:

5-15

Циклизованный каучук 5-15

2,б-Ди-(4-азидобензаль)циклогексанон

0,5-2 2-10

Ацетофенон Остально

Толуол

Предложенный фоторезист обладает низкой микродефектностью, что позволяет значительно повысить выход годной продукции.

Пример 1. Приготовление пленок толщиной 0,2-0,4 мкм.

Готовят 5%-ный раствор циклк15ГОнанного каучука в толуоле, содержащем i, очувствителя - 2,6-ди-(4-азидобензаль)циклогексанона и 10% ацетсфеиона. Раствор, наносят на предварительно очищенную и обезжиренную подложку, сушат при 80 С в течение 10 мин. Подложку вакуумируют 20 мин и экспонируют под вакуумом через л;аблон лампой ПРК-4 на расстоянии 20 см в течение 30 с. После облучения пленку обрабатывают толуолом. При этом необлученные участки растворяются и на подложке образуется защитный рельефный рисунок.

Пример 2. Приготовление плнок толщиной 0,4-0,7 мкм.

Готовят 7,5%-ный раствор циклизованного каучука в то туоле/ содержащем . 1 % 2 , 6-ди-(4-азидобензаль) циклогексанона, 10% ацетофенона. Раствор наносят на предварительно очищенную и обезжиренную подложку, сутиат при 80с в течение 10 мин. Подложку вакуумируют 20 мин и экспонируют под вакуумом через шаблон лампой ПРК-4 на расстоянии 20 см в течение 1 мин. После облучения пленку обрабатывают толуолом. При этом необлученные участки растворяются и на подложке образуется защитный рельефный рисунок, Пример 3. Приготовление пленок толщиной 0,7-1 мкм. Готовят 10%-ный раствор циклиэо ванного каучука в толуоле, содержа щем 1% 2,б-дй-(4-азидобензаль)циклогексанона, 10% ацетофенона. Раст вор наносят на предварительно очищенную и обезжиренную подложку, су шат при в течение 15 мин. ПОД ку вакуумируют 20 мин и экспонирую под вакуумом через шаблон лампой ПРК-4 на расстоянии 20 см в течени 1 мин. После облучения пленку обрабаты вают толуолом. При этом необлученные участки растворяются и на подложке образуется защитный рельефны рисунок. Полученный фоторезист обладает меньшим количеством проколов при травлении пленок малой толщины (0,2-1 мкм)) чем известный фоторезист (см.таблицу). Количество Количество ацетофенона, проколов в пленках фоторезиста на 1 см 2 Как видно из таблицы, число про олов резко снижается при введеии в фоторезист добавок ацетофеноа. Применение предложенного фоторезиста снижает брак при изготовлении интегральных схем, увеличивает производительность труда, значительно уменьшает количество очувствителя и циклизованного каучука. Приготовление предложенного фоторезиста не требует дополнительных затрат. Формула изобретения Негативный фоторезист, включающий циклизованный каучук, 2,6-ди-{4-азидобензаль)циклогексанон и толуол, о. т ли чающийся тем, что, с целью снижения микродефектности, он дополнительно содержит ацетофенон при следующей соотношении компонентов, вес.%: Циклизованный каучук 5-15 2-6-Ди-(4-азидобензаль)циклогексанон 0,5-2 Ацетофенон2-10 ТолуолОстальное. Источники информации, принятые во внимание при экспертизе 1. Авторское свидетельство СССР I 211317, кл.О 03 С 1/70, 1968 (прототип) .