Изобретение относится к озеточузстзительным негативным материалам, применяемым в электронной, радиотехнической и полиграфической Промышленности.
Известен светочувствительный негативный материал - фоторезист, состоящий из подложки и светочувствительного слоя, содержащего плеикообразующую компоненту, сенсибнлизатор и растворитель. В -качестве пленкообразующей К01мпоненты ,в такОМ фоторезисте иопользуется модифицированный синтетпчеокий или натуральный каучук 1. Известный фоторезист обладает хорощей адгезией к подложке и разрешает линии шириной от 10 до 25 мкм При толщине слоя от 0,5 до 2,5 мкм, но имеет нестабильные свойства.
Известен также светочувствительный негативный материал - фоторезист, состоящий из 1ПОДЛОЖ1КИ и .светочувствительного слоя, содержащего Плен1К.ООбразующую компоненту- двойной С0полиме;р полиц1жлогек;садие;1а-,3 с зтиленовы1м Соеди-нением, сенспби.тизатор и ра|ст(воритель 2.
Оветочувствительный негативный материал на основе С01полимера полициклогексадиел.а-1,3 (ПЦГД) и.меет пороговую светочувслствительность 3Q --- и .коэффициент контрастOOfC
лости 7 . С ПОМОЩЬЮ светочув:Ствительны
материалов iia основе сополимера лолици.клоreiKcaдиена-L3 можно воспроизводить элементы схемы размером 5-10 мкм.
Одна1ко такой фоторезист имеет небольшие разрешающую способность, -светочувствительность t коэффициент контрастности.
Целью изобретения Я вляется повышение разрешающей способности, светочувствительности и прочности светочувствительного слоя.
Для этого предлагают использовать в каче:.тве пленкообразующей комлоненты трои;:ого сополи.мера циклогексадиена-1,3 дигидронафталина и дивинила при следующем соот 1ошении, вес. %:
Цикл oreixca диен-1,30,1-40
Дигидронафталин15-40
ДивинилОстальное
СветОчув:тБптельный слой фоторезиста н-меет пороговую светочувствительность
с W
S,, .4 коэффициент контрастности дж
Фотор
V v
тозволяет 1получать элеме/ь
ЗИСТ
ты размером 2 мкм. Введение третьей компоненты в сополимер (дигидронафталина) по1выщает механическую прочность слоя, что уменьшает возможность проколов при обработке слоев. Фоторезист обладает .хорошей адгезией :к гидрофильной поверхности и щелопестойкостью.
При,мер. Сополимер, содержащий 40% цшклогаксадиена-1,3, 20% дигидронафталина и 40% диви:нила, е весовой Ичонцентра.ции 20% .растворяют ,в смеси толуола и /г-ксилола в соотиошении 2:1. Сенсибилизатор, растзореииый в толуоле, сливают с раствором сополимера в соотношеиии 4:100 по весу сухих продуктов. РаспвОр светочувствительного состава фильтруют и иамосят на подложку методом цент1рифугирОВания. Слои фоторезиста сушат 15 мин иа ,воздухе и 30 мин при 70° С. Экспонироваяие ведут через стекляи1иый фотошаблон лампами ДРШ-250 или СВД-120 или другими источниками излучения, имею1ЦИ1МИ линии излучения в области 350-370 нм. О.блучен.ная пленка тароявляется в 3 порциях толуола 1ПО 0,5 мин s жаждой для удаления иеоблучепных участков. Фоторезист позволяет получать объе1кты размером 2 мкм.
Фор м у Л а
Светочуаствительный негативный материал, состоящий из подложки и светочувствительного слоя, содержащего пленкообразующую 1ко,мпоненту, сенсибилизатор и растворн1ель, отличающийся тем, что, с целью повышения разрешающей способности, светочувствительности и прочности светочувствительного слоя, в качестве пленкообразующей компоненты ои содержит тройной сополимер ци|;слоге.ксадиена-1,3, дигидронафталипа и дивинила при следующем соотнощении, вес. %:
Цн;клогексаднен-1,30,1-40
15-40
Ди.гидроиафталин
Остальное.
ДИ;ВИННЛ
ИСтОЧ ники информации,
принятые во внимание при экспертизе::
1.Авт. ciB. Ло 249939 кл. G 03 С 1/00, 1967.
2.Авт. св. 330421 кл. G 03 С 1/00, 197
(прототип).
название | год | авторы | номер документа |
---|---|---|---|
СВЕТОЧУВСТВИТЕЛЬНЫЙ МАТЕРИАЛ | 1972 |
|
SU330421A1 |
Негативный фоторезист | 1977 |
|
SU651298A1 |
Состав для изготовления резиста | 1975 |
|
SU570007A1 |
СУХОЙ ПЛЕНОЧНЫЙ ФОТОРЕЗИСТ | 1985 |
|
SU1371281A1 |
СУХОЙ ПЛЕНОЧНЫЙ ФОТОРЕЗИСТ | 1985 |
|
SU1311456A1 |
Способ получения негативного изображения на позитивном фоторезисте | 1978 |
|
SU1109708A1 |
Негативный фоторезист | 1976 |
|
SU772396A1 |
Способ получения защитных рисунков с помощью негативных фоторезистов | 1978 |
|
SU920624A1 |
Полиаллилоксикарбонилпентенамеры в качестве светочувствительной основы фоторезиста | 1982 |
|
SU1073241A1 |
ПЛЕНОЧНЫЙ ФОТОРЕЗИСТ ДЛЯ ТРАФАРЕТНОЙ ПЕЧАТИ И СПОСОБ ЕГО ИЗГОТОВЛЕНИЯ | 2006 |
|
RU2321037C1 |
Авторы
Даты
1976-10-30—Публикация
1974-03-18—Подача