1
Изобретение относится к тонкопленочной микроэлектронике.
Известен нагреватель для подогрева окисляемых в кислородной плазме образцов, содержащий столик с нагревательным элементом.
Однако известный нагреватель имеет низкую равномерность нагрева окисляемых образцов.
Цель изобретения - повышение равномерности нагрева окисляемых образцов.
Для этого нагревательный элемент выполнен в виде расположенной внутри столика, герметически закрытой и электрически изолированной от столика пластины, причем столик выполнен из неокисляемого термостойкого материала, например, из нержавеющей стали.
На чертеже показан предлагаемый нагреватель.
Предлагаемый нагреватель содержит корпус 1 столика, диэлектрические прокладки 2, нагревательный элемент 3, крышку 4 столика и вакуумный токоввод 5.
Корпус 1 столика выполнен из теплопроводящего неокисляемого и термостойкого материала, например из нержавеющей стали. Нагревательный элемент выполнен из тугоплавкого металла (вольфрам, молибден и т. д.) плоской формы и размещен в выфрезероваином окне корпуса столика, причем одной стоРОНОЙ он жестко соединен с корпусом столика, а другой - с вакуумным токовводом 5. Вакуумный токоввод 5 выполнен по стандартной технологии и жестко закреплен на крышке 4 столика. Вторым токовводом является контакт поверхности столика с корпусом установки. Крышка 4 столика вакуумно плотно соединена с его корпусом I с помощью вакуумного уплотнения - металлической прокладки 6.
Диэлектрические прокладки 2, служащие для предотвращения короткого замыкания нагревательного элемента и максимальной передачи от него тепла на стенки корпуса, изготовлены из тугоплавкого вакуумного и теплопроводящего диэлектрика (например, окисноберрилиевой керамики).
С целью осуществления процесса получения необходимой окисной пленки диэлектрическая подложка 7 с нанесенным слоем окисляемого вещества 8 жестко закрепляется на столике и подводится к окну плазменного генератора 9.
Процесс подогрева образцов осуществляется следующим образом.
В момент достижения оптимальной толщины окисной пленки в кислородной плазме осуществляется нагрев подложки с целью обеспечения дальнейщего роста окисла в процессе подачи на нагревательный элемент электрического напряжения. В начальный момент процесса окисления используются токи высокой плотности, в результате чего происходит скоростной нагрев столика, поскольку выделяемая тепловая энергия расходуется только на его нагрев, причем поверхность столика равномерно нагревается по всей плоскости соприкосновения с -подложкой благодаря высокой теплопроводности диэлектрических прокладок 2 и минимальному объему, занимаемому плоским нагревателем внутри столика. После достижения необходимой температуры расход электроэнергии снижается в связи с уменьшением плотности тока нагревателя до значения, требуемого для поддержания оптимальной температуры подлол ки. 4 Предмет изобретения Нагреватель для подогрева окисляемых в кислородной плазме образцов, содержащий столик с нагревательным элементом, отличающийся тем, что, с целью повыщения равномерности нагрева окисляемых образцов, нагревательный элемент выполнен в виде расположенной внутри столнка, герметически закрытой и электрически изолированной от столика пластины, причем столик выполнен из неокисляемого термостойкого материала, например из нержавеющей стали.
название | год | авторы | номер документа |
---|---|---|---|
Устройство для подвода формовочного потенциала к окисляемому образцу | 1973 |
|
SU437151A1 |
КЕРАМИЧЕСКИЙ ЭЛЕКТРОНАГРЕВАТЕЛЬНЫЙ ЭЛЕМЕНТ И СПОСОБ ЕГО ИЗГОТОВЛЕНИЯ | 1999 |
|
RU2154361C1 |
УСТРОЙСТВО ДЛЯ ИЗМЕРЕНИЙ ПАРАМЕТРОВДИЭЛЕКТРИКОВ ПРИ высоких ТЕМПЕРАТУРАХ | 1968 |
|
SU208039A1 |
СПОСОБ И УСТАНОВКА ДЛЯ МЕТАЛЛОТЕРМИЧЕСКОГО ПОЛУЧЕНИЯ ЩЕЛОЧНО-ЗЕМЕЛЬНЫХ МЕТАЛЛОВ | 2007 |
|
RU2339716C1 |
УСТРОЙСТВО ДЛЯ ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНОЙ ОБРАБОТКИ ТУГОПЛАВКИХ МАТЕРИАЛОВ | 1996 |
|
RU2101881C1 |
Плазменная камера для активации поверхности микрофлюидных чипов и их последующей герметизации | 2023 |
|
RU2814689C1 |
УСТАНОВКА ДЛЯ ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНОГО ВАКУУМНОГО ОТЖИГА ТОНКИХ ПЛЁНОК С ВОЗМОЖНОСТЬЮ IN SITU ОПТИЧЕСКОГО НАБЛЮДЕНИЯ С ВЫСОКИМ РАЗРЕШЕНИЕМ | 2020 |
|
RU2755405C1 |
УСТРОЙСТВО НАГРЕВА ПОДЛОЖКИ ДЛЯ УСТАНОВКИ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ СТРУКТУРЫ | 2010 |
|
RU2468468C2 |
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МИКРОЭЛЕКТРОМЕХАНИЧЕСКИХ СТРУКТУР И УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЕГО ОСУЩЕСТВЛЕНИЯ | 2012 |
|
RU2511282C1 |
ЭЛЕКТРОСТАТИЧЕСКИЙ ДЕРЖАТЕЛЬ ДЛЯ ИСПОЛЬЗОВАНИЯ В ВАКУУМНОЙ КАМЕРЕ ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНОЙ ОБРАБОТКИ, СПОСОБ ОБРАБОТКИ ПОДЛОЖКИ И РАСШИРИТЕЛЬНЫЙ УЗЕЛ ЭЛЕКТРОСТАТИЧЕСКОГО ДЕРЖАТЕЛЯ | 2002 |
|
RU2295799C2 |
/Г/7 //
ъ Q
5; Сз
Ньслород
vX
U
сз
:
Авторы
Даты
1975-07-30—Публикация
1973-05-31—Подача