Способ рентгеноструктурного анализа Советский патент 1975 года по МПК G01N23/20 

плотность дефектов каждого вида с измеренной максимальной разориентировкой исследуемых узлов через коэффициенты, определяющие вклад в размытие узла от раздельного воздействия дефектов, а полученные данные используют для исследования кинетики дефектности структуры в каждой из рассматриваемых плоскостей скольжения. При этом используется тот факт, что разные узлы обратной решетки кристалла, содержащие дислокации, расположенные в различных системах скольжения, размываются в обратном пространстве по разному в зависимости от типа и распределения дислокаций. Например, при хаотическом распределении винтовых дислокаций с вектором Бюргерса + Ь, узлы обратной рещетки размоются в плоские

V

ДИСКИ, перпендикулярные Ь, размер которых

- V

ВДОЛЬ Ь очень мал, а диаметр в направлении,

перпендикулярном Ь, определяется из соотно- -

У9(д-Ь)у , тде q - .рашения 0 диус-вектор исследуемого узла, р-плотность винтовых дислокаций с вектором Бюргерса

п

+ Ь, и 1/ «; 2,25 const. Таким

образом, узлы обратной решетки, радиусы- -

векторы q которых перпендикулярны Ь, не

будут размываться от наличия винтовых дислокаций с данным вектором Бюргерса. В металлах с объемно-центрированной кристаллической решеткой, в случае, .если скольжение проходит в одном направлении по нескольким плоскостям (для всех дислокаций одно направление вектора Бюргерса), размытие узлов обратной рещетки этих плоскостей будет, в основном, определяться наличием краевых дислокаций 8 этих плоскостях.

Наличие краевых дислокаций, с вектором Бюргерса + Ь, расположенных в одной системе плоскостей скольжения, вызывает размытие узлов обратной решетки в эллипс, расположенный в плоскости, перпендикулярной линии краевых дислокаций. На чертеже показано изменение формы и

размеров эллипса для узлов, радиусы-векто-ры q которых нормальны к линии краевых

-

дислокаций е. Как видно из чертежа, налнчие краевых дислокаций, расположенных в системе плоскостей .V, вызывает размытие узлов обратной решетки в эллипсы с отличаюшимися главными осями, однако проекции этих эллипсов на перпендикуляр к ,,

диусу-векторуq узла обратной решетки слабо зависятот положения исследуемого узла ZT.

Способ позволяет исследовать параметры дислокационной структуры монокристаллов не только при наличии прямолинейных винтовых и краевых дислокаций, но и при наличии дислокационных петель, дислокационных диполей, стенок, состоящих из дислокаций и т. п.

Нредмет изобретения

Способ рентгеноструктурного анализа, заключающийся в том, что определяют положение оси монокристалла и исследуют размытие узлов обратной решетки в направлении оси качания кристалла, по совокупности которых судят о плотности дефектов, отличающийся тем, что, с целью определения дефектов разных типов, выбирают количество и пространственное положение исследуемых узлов в зависимости от числа и типа возможных систем плоскостей скольжения, проводят огранку образца в зависимости от выбранных узлов и выбирают положение оси качания, в направлении которой измеряют максимальное размытие каждого исследуемого узла.