1
Изобретение относится к способу получения фосфина высокой чистоты, который используется для получения эпитаксиальных слоев фосфидов галлия и индия и твердых растворов на основе фосфора, а также для легирования ряда полупроводниковых соединений.
Известен способ очистки фосфина низкотемпературной ректификацией.
В процессе низкотемпературной ректификации происходит эффективная очистка фосфина от углеводородов, суммарное содержание которых в очищенном продукте составляет 5-10- об. %. Однако, во-первых, примеси летучих гидридов серы, селена и теллура хемосорбируются материалом аппаратуры и создают в ректификационной колонне постоянный фон этих BeniecTB на уровне п- . % и поэтому этим способом их выделить очень трудно, во-вторых, в процессе низкотемпературной ректификации очистка от воды затруд:нена из-за образования в процессе конденсации фосфина аэрозолей влаги, плохо поддающихся ректификационной очистке.
С целью получения фосфина с суммарным содержанием примесей ceipbi, селена и теллура углеводородов, и воды 5-10- -ЫО об. % предложено перед низкотемператур«ой ректификацией фосфин подвергать очистке на активированном угле и сущке.
Сушку фосфина проводят вымораживанием влаги при температуре от -30 до -50°С с последующим пропусканием его через силикагель и цеолит NaA.
Ироцесс сорбщюнной очистки от примесей летучих соединений серы, селена и теллура проводят с использованием стационарного слоя влажного активированного угля. При этом образующиеся в водной среде ионы HS,
nSe, ПРе в результате ионного обмена с ОП группами поверхности угля сорбируются на угле.
Пример. Фосфин в количестве 550 г, полученный разложением фосфида магния водои, подвергают сорбционной очистке в колонке, заполненной углем БАУ (зерна 1-4 мм), смоченным водой. Высота слоя угля 500 мм, внутренний диаметр колонки 20 мм. Уголь БАУ предварительно отл1ывают особо чистой
водой.
После предварительной очистки фосфин направляют на сущку в дифференциальный конденсатор я затем в колонны, заполненные силикагелем и цеолитом NaA, предварительно
дегидратированными при 250 и 350°С соответственно в течение 6 час в токе сухого аргона. Остаточное содержание влаги в фосфине 5-10-е об. 0/ Осущенный фосфин конденсируют, neipeBOдят в куб ректификационной колонны и подвергают разгонке. Используют колонну со средним кубом общей эффективностью 100 теоретических ступеней разделения. Отбор легколетучих примесей (метан, этан, этилен, ацетилен) осуществляют сверху колонны, а труднолетучих примесей (пропан, пропилен) - снизу колонНЫ из куба полного испарения.
Анализ примесей в фосфине, исходном и очищенном предложенным способом, осуществляют методом масс-спектрометрии, газовой Xipoматографии и радиометрически с использованием радиоактивных изотопов S-35, Se-75, Те-125, С-14, Sb-124. Содержание влаги анализируют на приборе КИВГ. Суммарное содержание примесей (лимитирующих качество продукта) 5-10- об. %. Выход очищенного продукта 470 г или 85% от исходного.
В таблице приведены данные по чистоте фосфина, получаемого предложенным способом.
название | год | авторы | номер документа |
---|---|---|---|
Способ очистки гамма-бутиролактона для химических источников тока | 1990 |
|
SU1799869A1 |
Способ очистки хлористого водорода | 1980 |
|
SU893852A1 |
СПОСОБ ОЧИСТКИ ЭЛЕМЕНТООРГАНИЧЕСКИХ СОЕДИНЕНИЙ | 1972 |
|
SU432909A1 |
Способ получения особо чистых насыщенных углеводородов C-C | 2019 |
|
RU2714123C1 |
Способ получения сжиженных углеводородных газов | 2015 |
|
RU2607631C1 |
СПОСОБ ОЧИСТКИ ТРИАЛКИЛАЛЮМИНИЯ И ТРИАЛКИЛГАЛЛИЯ | 1987 |
|
SU1793692A1 |
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ТРИФТОРИДА АЗОТА | 2006 |
|
RU2317251C1 |
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ КРИПТОНО-КСЕНОНОВОЙ СМЕСИ | 1991 |
|
RU2023657C1 |
СПОСОБ ГЛУБОКОЙ ОЧИСТКИ МОНОСИЛАНА | 2009 |
|
RU2410326C2 |
СПОСОБ ОЧИСТКИ ГЕКСАФТОРБУТАДИЕНА | 2002 |
|
RU2244705C2 |
Предмет изобретения
Авторы
Даты
1975-12-30—Публикация
1974-02-15—Подача