Оперативное запоминающее устройство Советский патент 1976 года по МПК G11C11/14 

(54) ОПЕРАТИВНОЕ ЗАПОМИНАЮЩЕЕ УСТРОЙСТВО cori адресного тока 5, формирователи импульсов .разрядного тока 6, шины считываЮ1е 7 и записи 8, блок синхронизации 9, элемент Эч прета 1О, усилитель 11, На временной диаграмме показаны сигнал считывание 12, сигнал запись 13 сигнал выход элемента запрета 14, импульс адресного тока 15, адресный ток известного ОЗУ 1), импульс разрядного тока 17 и сигналы 18 и ,19, наводимые с Запоминающего элемента соответственно при считывании и записи информации. Устройство работает следующим образом С блока синхронизации 9 по шине считы1ва1ше 7 на вход блока 5 и на прямой вхо элемента запрета 1О поступает сигнал счи тывание 12, а по шине запись 8 на вход блока 6, и )ia инверсный вход элемента Ю поступает сигнал запись 13. С выхода элемента запрета 1О на вход усилителя; 11 поступает сигнал выход элемента запрета 14. По сигчалу 12 блок 5, в соот ветствии с- кодом адреса, выдает в одну из адресных шин импульо адресного тока 15. На время действия сигнала 14, передний фронт которого совпадает с передним фронтом сигнала 12, включается усилитель 11. Амплитуда адресного тока 15 при этом оп- |ределяется параметрами блока. 5. После окончания действия сигнала 14 усилитель 11 включается, а амплитуда адресного тока 15 определяется параметрами блока 5 и внутренним сопротивлением усилителя 11 (например., сопротивлением резистора, подключенного параллельно выходам усилителя). Иьтульс разрядного тока 17 положительной или отрицательной полярности ( в соотвеПствии с кодом числа) поступает в каждую разрядную шину 4 по сигналу запись 13. В резу.г:ьтате адресный ток 15, j отличие от адресного тока 16 известного ОЗУ, прирбретает двухступенчатую форму, причем амп- литуда первой ступени больше амплитуды второй ступени, а первая ступень адресного тока 15 и разрядный ток 17 каждой разрядной шины разнесены во времени. 3

запись Благодаря этому в устройстве ( даже при .наличии запоминающих элементов со зпачи тельным .разбросом параметров магнитной пленки) отсутствуют указанные ограничения на амплитуду адресного тока. Это объясняется тем, что в рассмотренном ОЗУ при считывании, т. е. во время действия первой ступени адресного тока, магнитное поле его может значительно превышать :значение Н , а при одновременном действии магнитного поля импульса разрядного тока и поля тока по соседней адресной шине, г. е. во действия второй ступени адресного точа, магнитное поле не превышает значения Н Необходимо такхсе отметить, что в таком ОЗУ уменьшается разброс считанных сигналов с запоминающих элементов, имеющих значение угла скоса оси анизотропии, отличное от нуля, Эти иреимушества позволяют расширить область усто11чивс о функционирования нако- пителя .. всего устройства и тем самым повысить его надежность. Кроме того, описанное устройство позволяет снизить требования параметрам магнитлой Пленки. что увеличивает выход годных пленок при их производстве. Формула изобр е т е н и я Оперативное запоминающее устройство. Содержащее накопитель на магнитных плен Ресные и разрядные шины которого .Т. мирователей импульсов адресного и разрядного токов, входы которых подключены соответственно к выходам считывание и запись блока синхрош1зации, отличающееся тем, что, с целью повыше шя надежности работы устройства, оно содержит уси.чтель и элемент запрета, прямой и инверсны/ входы ко горого подключены гсоответ- ственно к выходам считывание блока синхронизации, а выход подключен ко входу усилителя, один из выходов которого соединен с адресными шинами, а другой с шиной нулевого потенциала.

7 8 1/ 1/sU