(54) ШИХТА ДЛЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКОГО МАТЕРИАЛА
| название | год | авторы | номер документа |
|---|---|---|---|
| Пъезокерамический материал | 1975 |
|
SU544637A1 |
| Шихта для изготовления сегнетоэлектрического материала | 1976 |
|
SU555074A1 |
| Пьезокерамический материал | 1974 |
|
SU550367A1 |
| СЕГНЕТОКЕРАМИЧЕСКИЙ МАТЕРИАЛ | 1972 |
|
SU334595A1 |
| ПЬЕЗОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ КЕРАМИЧЕСКИЙ МАТЕРИАЛ | 2014 |
|
RU2580116C1 |
| Способ получения прозрачного сегнетоэлектрического керамического материала | 1977 |
|
SU692809A1 |
| ПЬЕЗОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ КЕРАМИЧЕСКИЙ МАТЕРИАЛ | 2010 |
|
RU2440955C2 |
| Высокочастотный пьезоэлектрический керамический материал на основе титаната-цирконата свинца | 2021 |
|
RU2764404C1 |
| Пьезоэлектрический керамический материал | 1980 |
|
SU963977A1 |
| ШИХТА СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКОГО КЕРАМИЧЕСКОГО МАТЕРИАЛА ДЛЯ НИЗКОЧАСТОТНЫХ КОНДЕНСАТОРОВ | 1994 |
|
RU2096385C1 |
1
Изобретение относится к сегнетоэлектрическим керамическим материалам и может быть использовано при изготовлении -керамического диэлектрика для электрически управляемых мощных высокочастотных емкостных каскадов аппаратуры радиосвязи.
Известен сегнетоэлектрический кера-мичеокий материал, для изготовления которого исходные окислы шихты берут в следующем соотношении, 1вес.%:
РЬО68,08
MgO3,45
NbaOs27,18
ZnO1,22
NiO0,07.
Однако известный материал имеет сравнитель ш узкий температурный диапазон .возможного применения (), поэтому высокое значение нижнего предела Б ряде случаев применения вынуждает производить специальный подогрев конденсаторов.
|Цель изобретения - снизить нижиюю границу рабочего температурного интервала.
Это достигается за счет того, что шихта содержит .компоненты, взятые в следующем соотношении, 1вес.%:
РЬО66,84-67,35
NBaOs26,53-26,74
MgO1,01-2,03
ZnO5,22-2,25
NiO0,41-1,64
Для изготовления керамического материала шихту размалывают до прохождения через сито iN° 0056. После ъысущивания при 120- 150°С прессуют брикеты и подвергают их обжигу при 900°С с выдержкой в течение 2 часа. Затем брикеты измельчают « массу размалывают повторно до полного прохождения через сито № 0056. Из полученной массы при удельном давлении прессуют заготовки «онденсаторов. Окончательный обжиг проводят при 1110-1:200° С в атмосфере РЬО с выдержкой до 1 час. После шлифовки «а изделия наносят электроды методом вжигания серебряной пасты при 800°С. В итоге получают материал следующего состава:
XPb(Mgi/3 КЬ2/з)Оз-yPb(Nii:3 ЫЬ2/з)Оз- -ZPb(Zni/3Nb2/3)O3.
где: X, У и Z - молярные доли компонентов: ,25-0,50 ,30-0,70 ,05-0,20
x+y+z i.
Керамический материал,полученный из щихты, содержащей, вес. %.
РЬО67,0
NBaOs26,60
MgO1,41
ZnO1,63
NiO3,36
имеет рабочий температуриый интервал от -10°С до +80°С; tg6 на частоте 1 Мгц при - , при +80°С tg6 1,5-10-1 При этом в рабочем температурном интервале температурный коэффициент составляет -5..
Формула .изобретения
Шихта для изготовления сегнетоэлектрического материала на основе твердых растворов системы РЬ (Mgi/sNbs/a) Оз-РЬ (Zni/sNbg/a) Оз-
-Pb(Nii/3Nb2/3)O3, используемого в качестве диэлектрика в электрически управляемых мощных высокочастотных емкостных каскадах аппаратуры радио-связи, .включающая РЬО, Nb2O5, MgO, NiO, ZnO, отличающаяся тем, что, с целью снижения нижней границы рабочего температурного интервала, компоненты взяты в следующем соотношении,
%: РЬО вес,
66,84-67,35
NBsOs
26,53-26,74 MgO 1,01-)2,0.3 ZnO 5,22-2,25 NiO 0,41-1,64
