Способ осаждения слоев двуокисикремния Советский патент 1976 года по МПК H01L21/205 

кателем 5. Для нск-лючелия контакта моносилаиа и триметилфосфата с атмосферой воздуха предусмотрены запорные вентили 6. Такая система позволяет получать легированные фосфором слои и формировать планарные полупроводниковые структуры воспроизводимо с точностью ±10% от процесса к процессу и не хуже ±5% внутри партии.

Формула изобретен и я

Способ осаждения слоев двуокиси кремния из газовой фазы, содержащей гомогенную смесь аргопа, моносилана,кислорода и фосфорсодержащего вещества, о т л и ч а ю щ и и с я тем,что, с цельюнолучения структур вщироком динназоие конце1гграции (}юсфора, новыщения воснроизводимости результатов легирования и обеспечения безопаспости процесса, осаждение ведут при 200-500°С из гомогенной смеси, включающей в качестве фосфорсодержащего вещества - триметилфосфат при следующем соотнощепии компонентов, об.%:

0,1-0,3

Моносилан

0,5-5,0 Кислород Триметилфосфат 10-3-10-1 Аргои Остальное причем кислород ггодают в камеру-реактор

через время, равное или больщее 60 сек, после ввода гомогенной смеси.

ГП I