Состав для пленочного фоторезиста Советский патент 1976 года по МПК G03C1/68 

1

Изобретение относится к области фоторезистов, использующихся в радио и микроэлектронике для получения печатного монтажа, печатных схем, микросхем.

Известен состав пленочного фоторезиста на основе олигомера, раствора светочувствительного полимера - полиамидной смолы в смеси с мономером в этиловом спирте, инициаторе фотополимеризации, ингибитора, сенсибилизатора. Однако известный фоторезист имеет нестабильные свойства и малые технологические возможности; токсичен.

С целью увеличения разрешающей способности фоторезиста и увеличения адгезии к подложке предлагают в состав для пленочного фоторезиста на основе олигомера, светочувствительного полимера, инициатора фотополимеризации, сенсибилизатора и ингибитора дополнительно вводить пластификатор- бутанол.

Предлагаемый состав содержит в качестве олигомера, например, этиленгликольдиметакрилат, светочувствительного полимера - полиамид, мономера - метакриловую кислоту. В качестве инициатора фотополимеризации в предлагаемый состав вводят бензоин или его метиловый эфир, или бензоинформальдегидную смолу.

В состав вводят в качестве сенсибилизатора и ингибитора термической полимеризации краситель, например метиленовый синий.

Компоненты в предлагаемом составе используют в следующем соотношении, вес. ч. Олигомер, например этиленгликольметакрилат18-26

Светочувствительный полимер-полиамидная смола 100 Мономер, например метакриловая кислота36-52

Фотоинициатор, например

бепзоин1-30

Пластификатор - бутанол5-20

Сенсибилизатор и ингибитор, например краситель метиленовый синий0,01-2

Растворитель, например этиловый спирт300-400 Композицию такого состава наносят на полиэтилентерефталатную пленку, слой высушивают и к нему прикатывают защитную полиэтиленовую пленку. Адгезия слоя хорошая к обеим пленкам. Перед использованием пленочного резиста полиэтиленовую пленку отделяют и резистный слой прикатывают вместе с полиэтилентерефталатной пленкой к подложке, фоторезист экспонируют через фотографический негатив или позитив, ыеоблученные участки вымывают спиртовым проявляющим раствором. Получают четкое изображение с оголением медных участков, которые вытравливают раствором хлорида железа или подвергают гальванической обработке. Предлагаемый состав пригоден для изготовления пленочного фоторезиста, представляющего собой светочувствительную пленку, поменденную между двумя защитными полимерными пленками, одна из которых прозрачна для УФ-света. Этот состав при применении в качестве плепочного фоторезиста в производстве радиоэлектронных плат печатного монтажа обеспечивает высокую разрешающую и выделяющую способность светочувствительного слоя, устойчив к травящим растворам и средам гальванических ванн, сохраняет светочувствительность при нанесении на медную подложку и имеет адгезию к ней. Предлагаемый состав позволяет проводить фотополимеризацию в фоторезистном слое на медненных платах, несмотря на ингибирующее действие подложки. Фоторезист, полученпый из предлагаемого состава, стоек к гальваиическойоораоотке и к травящим средствам. Формула изобретения Состав для пленочного фоторезиста на основе олигомера, например этиленгликольдиметакрилата, раствора светочувствительного полимера - полиамидной смолы в смеси с; мономером, например метакриловой кислотой, в этиловом спирте, инициатора фотополимеризации, например бензоина, сенсибилизатора и ингибитора, например метиленового синего, отличающийся тем, что, с целью увеличения разрещающей способности фоторезиста и увеличения адгезии к подложке, в его состав дополнительно введен в качестве пластификатора бутаяол при следующем соотношении компонентов, вес. %: Олигомер18-26 Полиамидная смола100 Мономер36-52 Инициатор1-30 Бутанол5-20 Сенсибилизатор и ингибитор0,01-2 Этиловый спирт300-400