Состав для изготовления резиста Советский патент 1977 года по МПК G03G5/00 

Описание патента на изобретение SU570007A1

(54) СОСТАВ ДЛЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ РЕЗИС ТА

1

Изобретение касается MarepianoB, применяемых в микроэлектронике для формирования негативного изображения электронопнтографическим методом при производств1е особо точных фотошаблонов и интегральных j схем.

Известные негативные фоторезисты типа KTFR и К PR обладаюг недостаточной разрешающей способностью (около 1 мкм). Используются также некоторые полимеры-по jd листирол, сополимеры стирола с бутадиеном 1|

К недостаткам указанных полимеров от носится низкая чувствительность ( Q 1О Кл/см при . 10 кВ), что приводит к длительному экспонированию.

UeJb изобретения - повышение чувствительности резиста к облучению и улучшение его разрешающей способности.

Для этого состав -для изготовленияi20

резиста, включающий чувствительный к излучению полимер, растворитель и стабилизатор, в качестве полимера содержит циклогексадиен или его сополимеры при слецующект соотношении компонентов, в вес.%:25

ЦиклoreКСадиен или его сополимеры.8 - 29

Стабилизатор0,1-1

РастворительОстальйое

При этом в качестве сополимера используют сополимерз циклогексадиена с мономерами, выбранными из группы стирол, изопрен, бутадиен, 1,2-дигидронафталин, дапслопенгадаен (при содержании циклогексадиена ЗО-98)

.

СНз

I1

CH2-C OH--CH2-f , Jmim

-СН2-СН СН СН2Г- г

Jn

Наличие в структуре полимера шесгичленных циклов обеспечивает предлагаемым материяпам высокую химическую стойкость, хорошую адгезию как к металлическим, так и к другим видам подложек, а также высокую чувствительность к действию электронного потока.

Молекулярный вес полимеров может находиться в широких пределах (2-15 тыq},; содержание же циклогексеновых звеньев может составлять от 30 до 100%. При ускоряющем напряжении 5-30 кВ для получения защитной пленки, устойчивой к действию кислых и щелочных травителей и обладающей хорошими диэлектрическими и тер мическими свойства ли, необходима плотность заряда Ю - 1О Кл/см -.; Изображение проявляется растворителями, растворяющими полициклогексадиен или его сополимеры, например ароматическими углеводородами. Пленк ; электроно резне та на подложках формируются из растворов предлагаемых полимеров в органических растворителях. Для повышения устойчирости растворов электронсрезистов ктермоокислительным процессам при хранении и стабильности сформированных на подложке пленок в растворы вводили стабилизаторы - нёозонДи сантонокс (,2-метил-5-третбугил-4-оксифенил моносулъфид) в количестве 0,1-1%.

Т1 р и м е р Г. 12%-ный раствор полициклогексадиена (мол. в 5 тыс-) в ксилоле, стабилизированный 1% неозона Д, наносят .; на центрифуге при 25ОО об/мин, на хромированнье стеклянные подложки (толтина хрома 0,2 мкм). Подложки сушат ЗО мин при 90 С и слой электронорезйста , толщиной 0,4 мкм экспонируют по заданной; программе электронным пучком Кускоря- юи1ее напряжение 2О кВ, плотность заряда 8-10 Кл/см ). После проявления в течение 3 мин в смеси толуол-изопропиловый спирт 10:1чподложкй сушат ЗО мин при и травят через образовавшуюся маеку хромовый слой в щелочном травителе, содержащем красную кровяную соль. Элементы с размерами 0,5 мкм воспроизводят ся при хорошей Четкости край.

Пример 2. Из 14Sc-Horo раствора полициклогексадиено (мол. в. 3,5 тыс.)

в смеси толуол-ксилол 1:1, стабилизированного 1% сантонокса, на хромированных подложках Методом, описантлм в примере i формируют пленки электронорезйста голщиной О,3 мкм. Подложки экспонируют электронным пучком (ускоряющее напряжение 20 кВ, плотность заряда 10 Кл/см ). После проявления изо бражеш1Я в смеси толуол-чзопропиловый спирт 5:1 методом пульверизации и сушки подложек в течение 30 мин при слой хрома протравливают потоком ионизированной плазмы. Минимальные размеры элементов составляют 0,3 мкм.

Пример 3. Пленки электронорезйста толщиной О,3 мкм, сформированные из 10%-ного раствора сопо.ллмера циклогексацнена и стирола (содержание мономеров 8О и 20% соответственно, мол. в. 10 тыс.) по . описанной в примере 1 методике экспонируют потоком электронов (ускоряющее напряжение 25 кВ, плотность заряда 10 Кл/см ). После термообработки в течение 2О мин при 12О°С подложки травят 2О%-ным раствором соляной кислоть. Получают элементы с с размерами 0,5 мкм. Защитную маску электронорезйста удаляют кипячением в течение 1О мин, в хлорбензоле.

Пример 4. Пленки электронорезистй толщиной 0,4 мкм, сформированные на хромированных стеклянных подложках из 15%-ного раствора сополимера циклогексадиена - 1,3 и изопрена (состав сополимера: 7О% тшклогексадиена, ЗО% изопрена), после сущки при ЮО С в течение 15 мин экспонируют электронным пучком при. ускоряющем напряжении 20 кВ и плотности заряда 21О лл/см . После проявления толуолом в течение 1,5 мин и сушки при 13О С в течение 30 мин подложки травят 209Ь-ным раствором соляной кислоты. Элементы с размерами менее 1 мкм имеют неровность края менее 0,2 мкм,

Таким образом, / из приведенных примеров и протокола испытаний следует, что предлагаемый резист обладает в 5-10 раз большей чувствительностью по сравнению с полистиролом и лучшей разрешающей

способностью. Он устойчив к действию ионизированной плазмы и может служить маской при ионном травлении подложки.

55Формула изобретения

1. Состав для изготовления резиста, включающий чувствительный к излучению полимер, растворитель и стабилизатор, о т л ивО чающийся тем, что, с целью повы5тения чувсгвительносги речзиста к облучению и улучшения его разрешающей способности, он содержит в качестве полимера ииклогексалие или его сополимеры при следующем соотношении . компонентов, вес,% Циклогексадиен или его сополимеры8-20 Стабилизатор0,1-1 РастворительОстальное. 2. Состав по п. 1, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что он содержит в качестве сополимера сополимеры циклогексадиена с мономерами, выбf)aнными иэ группы1 сгирол, иаопрен, бутадиен, 1,2-дигидронафталин, циклопенталиеН при содержании /циклогексадиена ЗО-98%. Источники информации, принятые во внимание при экспертизе: 1Л-о EPekti-oChem. Зое1971 г., т. 118, с. 669.

Похожие патенты SU570007A1

название год авторы номер документа
СВЕТОЧУВСТВИТЕЛЬНЫЙ МАТЕРИАЛ 1972
  • Ю. С. Боков, Н. В. Викулина, Б. А. Догадкин, Б. В. Ероф Евг А. В. Ларина, В. П. Лаврищев, В. В. Марков, С. Ф. Наум О. Д. Юрина Г. Д. Ярова
SU330421A1
Способ получения негативной маски 1982
  • Берестенко М.К.
  • Боков Ю.С.
  • Бочканов А.Е.
  • Носов В.Н.
  • Федоров А.В.
  • Шевченко А.И.
  • Сиедин В.А.
SU1132746A1
Светочувствительный негативный материал 1974
  • Боков Юрий Сергеевич
  • Корсаков Владимир Сергеевич
  • Калюжная Вера Георгиевна
  • Наумова София Фадеевна
  • Юрина Ольга Дмитриевна
SU533902A1
КОМПОЗИЦИЯ ДЛЯ ПОЛУЧЕНИЯ ПОЗИТИВНОГО ЭЛЕКТРОННО- И РЕНТГЕНОРЕЗИСТА 1992
  • Семчиков Ю.Д.
  • Семенов В.В.
  • Булгакова С.А.
  • Ладилина Е.Ю.
  • Новожилов А.В.
  • Корсаков В.С.
  • Максимов С.И.
RU2044340C1
Негативный фоторезист 1977
  • Боков Юрий Сергеевич
  • Калюжная Вера Георгиевна
  • Корсаков Владимир Сергеевич
  • Лаврищев Вадим Петрович
  • Наумов Софья Фадеевна
SU651298A1
Поливинилалкенилциклопропилкарбоксилаты в качестве светочувствительной основы фото- и электронорезистов 1982
  • Гулиев Абаскулу Мамед Оглы
  • Гасанова Сабира Султан Кызы
  • Рамазанов Гафар Абдулали Оглы
  • Мусина Эльмира Адиуллаевна
  • Мозжухин Дмитрий Дмитриевич
  • Селиванов Геннадий Константинович
  • Денискин Виктор Васильевич
  • Алыев Абдул Талыб Оглы
  • Агаев Урфат Ханали Оглы
SU1058972A1
УПАКОВКА ДЛЯ ОФТАЛЬМОЛОГИЧЕСКОГО УСТРОЙСТВА, ИМЕЮЩАЯ МНОГОСЛОЙНЫЙ ПОКРОВНЫЙ МАТЕРИАЛ, КОТОРЫЙ СОДЕРЖИТ ЦИКЛИЧЕСКИЙ ОЛЕФИНОВЫЙ ГЕРМЕТИЗИРУЮЩИЙ СЛОЙ 2019
  • Суоми, Джей
RU2761284C1
Позитивный электронорезист 1978
  • Вайнер Александр Яковлевич
  • Лиманова Валентина Федоровна
  • Дюмаев Кирилл Михайлович
  • Быстрова Надежда Максимовна
  • Эрлих Роальд Давидович
SU721794A1
Способ получения сополимера циклогексадиена-1,3 с пипериленом 1980
  • Ерофеев Борис Васильевич
  • Чапланова Жанна Давидовна
  • Валендо Александр Яковлевич
  • Радкевич Станислав Ефимович
SU998467A1
Полимерная композиция для пленки-подложки в электронно-микроскопическом исследовании порошкообразных материалов 1981
  • Персинин Станислав Александрович
  • Масхулия Лев Григорьевич
  • Серебряков Юрий Алексеевич
  • Литвинов Владимир Федорович
  • Левенталь Юрий Касьянович
  • Яровицин Алексей Дмитриевич
SU975744A1

Реферат патента 1977 года Состав для изготовления резиста

Формула изобретения SU 570 007 A1

SU 570 007 A1

Авторы

Наумова София Фаддеевна

Юрина Ольга Демидовна

Максимова Тамара Петровна

Новожилов Альберт Вениаминович

Корсаков Владимир Сергеевич

Боков Юрий Сергеевич

Лаврищев Вадим Петрович

Швед Петр Иванович

Даты

1977-08-25Публикация

1975-01-13Подача