Способ удаления забракованных кристаллов Советский патент 1976 года по МПК H01L21/66 

1

Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов и интегральных схем и может быть использовано, например, при разбраковке полупроводниковых кристаллов при контроле их по внешнему виду и Подготовке к сборке.

После разделения полупроводниковой пластины на отдельные кристаллы последние подвергают контролю по внешнему виду и разбракованию.

Известен способ группового удаления забракованных кристаллов, когда бракованные кристаллы маркируют клеем, накладывают на кристаллы металлическую фольгу, прижимают ее к кристаллам, разогревают все сборку до температуры отверждения клея, охлаждают ее и удаляют фольгу с приклеенными к ней забракованными кристаллами.

Недостатком этого способа является его относительная сложность и возможность попадания клеевого состава на годные кристаллы вследствие их небольших размеров, что приводит к потере годных кристаллов, а также нарушению их первоначальной ориентации.

Известен способ удаления забракованных кристаллов, когда после разламывания скрайбированной пластины, помеш;енной в вакуумный пакет из термопластичной, например полиэтиленовой, пленки, и удаления верхней пленки, кристаллы подвергают внешнему конQ

тролю, например под микроскопом, и забракованные кристаллы удаляют при помоши вакуумного пинцета.

Недостатком такого способа является большая трудоемкость процесса, особенно при разбраковке кристаллов со стороной квадрата размером менее 0,5 мм, вследствие их ненадежного захвата вакуумным пинцетом. Целью изобретения является упрошение

технологического процесса удаления забракованных кристаллов.

Это достигается тем, что по предлагаемому способу при удалении забракованных кристаллов после разлома полупроводниковой

пластины в вакуумном пакете из термопластичного прозрачного материала участки одной из пленок пакета, расположенные напротив забракованных кристаллов, локально нагревают до размягчения пленки, прикладывают к этим участкам давление в направлении кристаллов, после чего пленку с прилипшими к ней забракованными кристаллами удаляют. Пленку можно нагревать одновременно с приложением давления. Полупроводниковую пластину с готовыми микроструктурами после операции скрайбирования размешают в полиэтиленовом пакете, откачивают из него воздух и герметизируют. Затем известными способами, например валиком, разламывают пластину на отдельные кристаллы, растягивают пакет в направлении от центра к периферии до образования зазора между кристаллами от 0,1 до 0,2 мм и производят контроль кристаллов по внешнему виду и их разбраковку.

Для этого пакет с кристаллами помещают под объектив микроскопа и просматривают при увеличении lOO -150. При обнаружении кристалла, имеющего дефекты по внешнему виду, участок одной из пленок пакета, расположенный напротив забракованного кристалла, локально нагревают до размягчения плевки и прикладывают к указанному участку давление в направлении к кристаллу.

После отбраковки всех кристаллов в пакете указанным способом пакет разгерметизируют и удаляют пленку с прилипшими к ней кристаллами.

Дефекты полиэтиленовой пленки в лоле зрения микроскопа не просматриваются и не оказывают влияния на качество контроля кристаллов. Локальный нагрев уча-стков пленки целесообразно производить при помощи зондов, снабженных средствами для нагрева. Нагреву можио подвергать как верхнюю, так и нижнюю пленки пакета, в зависимости от применяемого для разбраковки оборудования. Кроме того, нагрев пленки можно производить одновременно с приложением давления. Предлагаемый способ обеспечивает значи.тельное упрощение технологического процесса удаления забракованных кристаллов, что позволяет повысить его производительность и снизить трудовые затраты. Кроме того, при удалении забракованных кристаллов данным снособом практически исключается возможность повреждения годных кристаллов.

Формула изобретения

1.Способ удаления забракованных кристаллов после разламывания скрайбированной полупроводниковой пластины, расположенной в вакуумном пакете из термопластичной прозрачной пленки, отличающийся тем, что, с целью упрощения технологического процесса, участки одной из нленок пакета, расноложенные напротив забракованных кристаллов, локально нагревают до размягчения пленки, прикладывают к указанным участкам давление в паправлении кристаллов, после чего пленку с прилипшими к ней забракованными кристаллами удаляют.

2.Способ по п. 1, отличающийся тем, что пленку нагревают одновременно с нриложением давления.